1.一种通过设置温度梯度制备自支撑氮化镓体块单晶的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将籽晶固定在HVPE生长系统的衬底托上并置于高温生长区，使籽晶与NH3出气口的距离为5~20cm，将HPVE生产系统升温至所需温度，控制籽晶与NH3出气口的温度梯度，升温过程中持续通入氮气和氨气；

（2）待温度稳定后，开始通入氯化氢气体，氯化氢气体在低温反应区与Ga反应生成氯化镓，通过载气运输至高温生长区，与氨气反应，在籽晶处外延生长GaN，外延生长温度梯度为‑2 2℃，反应时间为1 2h；

~ ~

（3）反应1 2h后，停止通入氯化氢气体，调整高温生长区的温度，使籽晶与氨气出气口~的退火温度梯度为‑3 3℃/cm，在此温度下保温1 2h，实现一次高温退火；

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（4）一次高温退火完成后，继续通入氯化氢气体，使GaN继续外延生长1‑2 h，获得一层GaN多孔结构层；

（5）停止通入氯化氢气体，调整高温生长区的温度，使籽晶与氨气出气口的退火温度梯度为‑3‑3℃/cm，在此温度下保温1 2h，实现二次高温退火；

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（6）二次高温退火完成后，再次通入氯化氢气体，使GaN外延生长2 48h，关闭氯化氢气~体，HVPE生长系统降低至室温；

所述的HVPE生长系统为垂直式HVPE生长系统，原料气体自下而上运输，镓源位于低温反应区，高温生长区包括自下而上设置的第一加热区间、第二加热区间和第三加热区间，籽晶位于高温生长区的第二加热区间。

2.根据权利要求1所述的自支撑氮化镓体块单晶的制备方法，其特征在于，所述的第一加热区间高度为100‑200mm，第二加热区间高度为200‑350mm，第三加热区间高度为100‑

200mm。

3.根据权利要求1所述的自支撑氮化镓体块单晶的制备方法，其特征在于，所述的第一加热区间温度设定为900‑1100℃，第二加热区间温度设定为1000‑1200℃，第三加热区间温度设定为900‑1200℃。

4.根据权利要求1所述的自支撑氮化镓体块单晶的制备方法，其特征在于，所述的低温反应区温度设定为700‑900℃。

5.根据权利要求1所述的自支撑氮化镓体块单晶的制备方法，其特征在于，步骤（1）中升温至所需温度的时间为7h。

6.根据权利要求1所述的自支撑氮化镓体块单晶的制备方法，其特征在于，所述的外延生长温度梯度和退火温度梯度不同时相等。

7.根据权利要求1所述的自支撑氮化镓体块单晶的制备方法，其特征在于，所述的籽晶为MOCVD‑GaN/Al2O3；所述的衬底托与可旋转籽晶杆连接。

8.根据权利要求1所述的自支撑氮化镓体块单晶的制备方法，其特征在于，所述的升温过程中，持续通入高纯氮气作为氛围气体，同时通入高纯氨气。