1.一种垂直导电型功率半导体器件双面压接封装结构，其特征在于，包括：第一功率电极端盖(1)、第一驱动电极弹簧针PCB组件(2)、若干第一功率电极钼片(3)、若干第一功率电极柔性导电金属片(4)、若干定位框(5)、若干功率芯片(6)、若干第二功率电极柔性导电金属片(7)、若干第二功率电极钼片(8)、第二驱动电极弹簧针PCB组件(9)、第二功率电极端盖(10)和陶瓷管壳(11)，其中，所述第一功率电极端盖(1)设置在所述陶瓷管壳(11)的一端且所述第二功率电极端盖(10)设置在所述陶瓷管壳(11)的另一端以形成封闭空间；

所述第一驱动电极弹簧针PCB组件(2)、所述若干第一功率电极钼片(3)、所述若干第一功率电极柔性导电金属片(4)、所述若干定位框(5)、所述若干功率芯片(6)、所述若干第二功率电极柔性导电金属片(7)、所述若干第二功率电极钼片(8)和所述第二驱动电极弹簧针PCB组件(9)均设置在所述封闭空间内；

所述若干第一功率电极钼片(3)、所述若干第一功率电极柔性导电金属片(4)、所述若干功率芯片(6)、所述若干第二功率电极柔性导电金属片(7)、所述若干第二功率电极钼片(8)一一对应的层叠设置在所述若干定位框(5)中；且所述第一功率电极柔性导电金属片(4)与所述功率芯片(6)第一表面的第一功率电极连接；所述第二功率电极柔性导电金属片(7)与所述功率芯片(6)第二表面的第二功率电极连接；

所述第一驱动电极弹簧针PCB组件(2)设置在所述第一功率电极端盖(1)和所述若干第一功率电极钼片(3)之间，且与所述功率芯片(6)第一表面的第一驱动电极连接；所述第一功率电极端盖(1)穿过所述第一驱动电极弹簧针PCB组件(2)与所述若干第一功率电极钼片(3)连接；

所述第二驱动电极弹簧针PCB组件(9)设置在所述第二功率电极端盖(10)和所述若干第二功率电极钼片(8)之间，且与所述功率芯片(6)第二表面的第二驱动电极连接；所述第二功率电极端盖(10)穿过所述第二驱动电极弹簧针PCB组件(9)与所述若干第二功率电极钼片(8)连接。

2.根据权利要求1所述的垂直导电型功率半导体器件双面压接封装结构，其特征在于，所述第一功率电极端盖(1)包括第一端盖(110)和若干第一凸台状结构(120)，其中，所述第一端盖(110)设置在所述陶瓷管壳(11)的一端；

所述若干第一凸台状结构(120)设置在所述第一端盖(110)的朝向所述功率芯片(6)的表面上，且穿过所述第一驱动电极弹簧针PCB组件(2)与所述若干第一功率电极钼片(3)一一对应连接。

3.根据权利要求2所述的垂直导电型功率半导体器件双面压接封装结构，其特征在于，所述第一驱动电极弹簧针PCB组件(2)包括第一驱动电极PCB板(21)、若干第一驱动电极弹簧针(22)和第一驱动电极外部连接端子(23)，其中，所述第一驱动电极PCB板(21)上设置有若干第一通孔(211)，且所述若干第一凸台状结构(12)一一对应穿过所述若干第一通孔(211)；

所述若干第一驱动电极弹簧针(22)设置在所述第一驱动电极PCB板(21)的表面，且所述第一驱动电极弹簧针(22)与所述第一驱动电极连接；

所述第一驱动电极外部连接端子(23)设置在所述第一驱动电极PCB板(21)的侧面。

4.根据权利要求1所述的垂直导电型功率半导体器件双面压接封装结构，其特征在于，所述第一功率电极钼片(3)和所述第二功率电极钼片(8)的厚度均为1～3mm。

5.根据权利要求1所述的垂直导电型功率半导体器件双面压接封装结构，其特征在于，所述第一功率电极柔性导电金属片(4)的材料和所述第二功率电极柔性导电金属片(7)的材料均包括银。

6.根据权利要求1所述的垂直导电型功率半导体器件双面压接封装结构，其特征在于，所述功率芯片(6)包括垂直导电型双向功率芯片。

7.根据权利要求1所述的垂直导电型功率半导体器件双面压接封装结构，其特征在于，所述第二驱动电极弹簧针PCB组件(9)包括第二驱动电极PCB板(91)、若干第二驱动电极弹簧针(92)和第二驱动电极外部连接端子，其中，所述第二驱动电极PCB板(91)上设置有若干第二通孔(911)；

所述若干第二驱动电极弹簧针(92)设置在所述第二驱动电极PCB板(91)的表面，且所述第二驱动电极弹簧针(92)与所述第二驱动电极连接；

所述第二驱动电极外部连接端子设置在所述第二驱动电极PCB板(91)的侧面。

8.根据权利要求7所述的垂直导电型功率半导体器件双面压接封装结构，其特征在于，所述第二功率电极端盖(10)包括第二端盖(101)和若干第二凸台状结构(102)，其中，所述第二端盖(101)设置在所述陶瓷管壳(11)的另一端；

所述若干第二凸台状结构(102)设置在所述第二端盖(101)的表面，且穿过所述若干第二通孔(911)与所述若干第二功率电极钼片(8)一一对应连接。

9.根据权利要求1所述的垂直导电型功率半导体器件双面压接封装结构，其特征在于，所述陶瓷管壳(11)的两个端部均设置有金属裙边。

10.根据权利要求1所述的垂直导电型功率半导体器件双面压接封装结构，其特征在于，所述封闭空间的内部填充有惰性气体。