1.一种半导体器件封装，包括：

封装主体；

多个电极，所述多个电极包括在所述封装主体上的第一电极；；

粘合构件，所述粘合构件在所述第一电极上并且包括无机填充剂和金属粉末中的至少一种；以及半导体器件，所述半导体器件粘晶在所述粘合构件上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中所述第一电极的粘晶区域包括具有预定深度的粘合凹槽，并且所述粘合构件形成在所述粘合凹槽中。

3.根据权利要求2所述的半导体器件封装，其中所述粘合构件是包括所述无机填充剂和所述金属粉末的有机树脂。

4.根据权利要求3所述的半导体器件封装，其中所述无机填充剂包括TiO2，并且所述金属粉末包括铝(Al)和银(Ag)中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中所述半导体器件包括至少一个发光二极管芯片。

6.根据权利要求5所述的半导体器件封装，包括：腔，所述腔设置在所述封装主体，用于容纳所述电极和所述发光二极管芯片；

布线，所述布线将所述发光二极管芯片电连接到所述电极；以及透明树脂材料，所述透明树脂材料在所述腔中。

7.根据权利要求1所述的半导体器件封装，包括用于密封所述电极和所述半导体器件的树脂材料。

8.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中所述粘合构件的底表面和外周和所述第一电极接触。

9.一种半导体器件封装，包括：

封装主体，所述封装主体包括腔；

多个电极，所述多个电极包括在所述腔中的第一电极；

粘合构件，所述粘合构件在所述第一电极上并且包括白色无机填充剂和反射性金属；

至少一个发光二极管芯片，所述发光二极管芯片粘晶在所述粘合构件上；

布线，所述布线将所述电极电连接到所述发光二极管芯片；以及树脂材料，所述树脂材料在所述腔中。

10.根据权利要求9所述的半导体器件封装，其中所述第一电极包括粘合凹槽，所述粘合构件设置在粘合凹槽中。

11.根据权利要求10所述的半导体器件封装，其中所述粘合凹槽的深度为从所述第一电极的顶表面起大约1μm至大约100μm。

12.根据权利要求11所述的半导体器件封装，其中所述粘合凹槽大于所述发光二极管芯片的底面积并且包括突出/凹槽结构。

13.根据权利要求10所述的半导体器件封装，其中所述粘合凹槽形成为多个带形形状、环形形状和圆形形状中的一种。

14.根据权利要求9所述的半导体器件封装，其中所述电极包括引线框架型电极、电路板型电极、陶瓷型电极、电镀型电极和通孔型电极中的至少一种；并且所述封装主体包括聚邻苯二甲酰胺(PPA)、液晶聚合物、包括间规聚苯乙烯的树脂、金属芯印刷电路板(MCPCB)、印刷电路板(PCB)、陶瓷PCB、阻燃剂-4(FR-4)、和氮化铝(AlN)中的至少一种。

15.根据权利要求9所述的半导体器件封装，其中所述粘合构件包括硅或环氧树脂；

所述白色无机填充剂包括TiO2；

所述反射性金属包括铝(Al)和银(Ag)中的至少一种；并且所述白色无机填充剂和所述反射性金属中的至少一种以按重量计约0.1％至约30％的浓度混合在所述粘合构件中。