1.一种基于非对称势垒能带结构的宽谱响应红外探测器，是超低暗电流垂直范德华异质结宽谱响应红外探测器，其特征是，在基底上设有自下到上的结构：衬底绝缘层（1），所述绝缘层包括二氧化硅、三氧化二铝以及PMMA、PI柔性绝缘衬底；

底面反射电极层（3），所述底面反射电极层置于所述衬底绝缘层上；

吸收层（5），吸收层（5）为n‑型二维层状或为p‑型二维层状半导体薄膜材料；所述n‑型二维层状半导体薄膜层包含MoS2、MoSe2、WS2、WSe2过渡金属硫族化合物，叠放在底面反射电极的正上方位置；

调控层（7），调控层（7）为带隙可调二维薄膜材料层，带隙能够通过外加电场、磁场或者通过改变二维薄膜材料的组分，实现对材料带隙的连续调控，调控层位于吸收层之上；包括石墨烯、黑磷‑砷，堆叠顺序保持不变；

宽带隙型二维薄膜材料层即势垒层（6），势垒层（6）为带隙大的本征半导体或绝缘体，包括氮化硼、氧化铝作为势垒层；势垒层介于接触层（8）与带隙可调二维薄膜材料层即调控层（7）之间；

接触层（8），接触层（8）为n‑型二维层状材料或p‑型二维层状材料，与吸收层导电类型相同，即吸收层也为n‑型二维层状材料或p‑型二维层状材料；

接触层（8）的材料是p‑型二维层状材料时，吸收层（5）也为p‑型二维层状材料，势垒层仍为宽带隙型二维薄膜材料，包括带隙大的本征半导体或绝缘体，带隙大的本征半导体或绝缘体为氮化硼或氧化铝；

顶栅电极层（9）和顶电极层（4）；所述顶电极层设置在所述异质结上方接触层的一侧或一周；所述顶栅电极层设置在所述异质结势垒层的正上方。

2.根据权利要求1所述的宽谱响应红外探测器，其特征在于，n‑型二维层状材料接触层与n‑型二维层状材料吸收层是导电类型相同的两种二维层状材料；包含WS2、MoS2过渡金属硫族化合物。

3.根据权利要求1所述的宽谱响应红外探测器，其特征在于，接触层与吸收层二维层状材料是同种导电类型，同为电子型导电或同为空穴型导电；当接触层的材料是p‑型二维层状材料时，吸收层也为p‑型二维层状材料，是导电类型相同的两种二维层状材料，包含黑磷、过渡金属硫族化合物。

4.根据权利要求1‑2任一所述的宽谱响应红外探测器，其特征在于，调控层是叠放在一个包括确定层数的n‑型二维层状材料/p‑型二维层状材料层即吸收层上方。

5.根据权利要求1‑2任一所述的宽谱响应红外探测器，其特征在于，设有底面反射电极层并使之位于异质结结区正下方。

6.根据权利要求1‑2任一所述的宽谱响应红外探测器，其特征在于，所述顶栅电极的厚度为20‑50纳米。

7.根据权利要求1‑2任一所述的宽谱响应红外探测器，其特征在于，所述衬底绝缘层的厚度为300纳米。

8.根据权利要求1‑2任一所述的宽谱响应红外探测器，其特征在于，所述顶电极层由5纳米厚的钛及50 纳米厚的金组成；所述底面反射电极层由5 纳米厚的钛及50 纳米厚的金组成；所述顶栅电极层的宽度为2 μm，顶栅电极层由5 纳米厚的钛及50 纳米厚的金组成。

9.根据权利要求1‑2任一所述的宽谱响应红外探测器，其特征在于，通过对顶栅电极施加栅压进行调控、或者利用组分连续变化的带隙可调材料，从而实现对材料带隙的连续调控。