1.一种宽光谱响应光电探测器，包括第一探测单元(2)、连接单元(3)、和第二探测单元(4)，其特征在于：所述第一探测单元(2)设置在透明导电基底(1)之上，且其波长响应范围为从近紫外光到可见光，所述透明导电基底(1)为四层结构，包括第一玻璃基底(101)、第二介质层(102)、第三透明金属层(103)和第四介质层(104)，且所述第二介质层(102)层叠在第一玻璃基底(101)之上，所述第三透明金属层(103)层叠在第二介质层(102)之上，所述第四介质层(104)层叠在第三透明金属层(103)之上，所述第一探测单元(2)为PIN型结构，包括第一P型层(201)，第一I型层(202)和第一N型层(203)，且所述的第一P型层(201)，第一I型层(202)和第一N型层(203)呈依次层叠结构，所述第二探测单元(4)设置在连接单元(3)之上，且其波长响应范围为从可见光到近红外光，第二探测单元(4)为NIP型结构，包括第二N型层(401)、第二I型层(402)、第二P型层(403)和不透明电极层(404)，且所述的第二N型层(401)、第二I型层(402)、第二P型层(403)和不透明电极层(404)呈依次层叠结构，所述连接单元(2)为石墨烯，石墨烯层的厚度为10-50nm，且从连接单元(2)引出导线作为宽光谱响应光电探测器的阴极，所述的透明导电基底(1)的第三透明金属层(103)与第二探测单元(4)的不透明电极层(404)使用导线连接，共同作为宽光谱响应光电探测器的阳极。

2.根据权利要求1所述的一种宽光谱响应光电探测器，其特征在于：所述第一玻璃基底(102)的厚度0.5-7mm，所述第二介质层(102)为PEDOT:PSS与TAPC的复合材料制备而成，其中PEDOT:PSS与TAPC的摩尔比为6：(1-3)，所述第二介质层(102)的厚度为50-70nm，所述第三透明金属层(103)为铝和锗的合金，其中铝与锗的摩尔比为9：(1-2)，第三透明金属层(103)的厚度为10-30nm，所述第四介质层(104)为MoO3与TAPC的复合材料制备而成，其中MoO3与TAPC的摩尔比为8：(1-2)，所述第四介质层(104)的厚度为30-60nm。

3.根据权利要求1所述的一种宽光谱响应光电探测器，其特征在于：所述第一P型层(201)为空穴传输型有机材料，且空穴传输型有机材料的禁带宽度大于2eV，所述第一P型层(201)的厚度为20-50nm，所述第一N型层(203)为电子传输型有机材料，且电子传输型有机材料的禁带宽度大于2.4eV，所述第一N型层(203)的厚度为20-50nm，所述的第一I型层(202)为三元复合结构，包括摩尔比为0.5：0.5：1的第一P型层(201)材料、第一N型层(203)材料和可见紫外光敏层材料，所述的可见紫外光敏层材料的禁带宽度范围为2-3.2eV。

4.根据权利要求1所述的一种宽光谱响应光电探测器，其特征在于：所述第二N型层(401)为电子传输型有机材料，且电子传输型有机材料的禁带宽度大于2.4eV，所述第二N型层(401)的厚度为20-50nm，所述第二P型层(403)为空穴传输型有机材料，且空穴传输型有机材料的禁带宽度大于2eV，所述第二P型层(403)的厚度为20-50nm，所述的第二I型层(402)为三元复合结构，包括摩尔比为0.5：0.5：1的第二P型层(403)材料、第二N型层(401)材料和可见红外光敏层材料，所述的可见红外光敏层材料的禁带宽度范围为1-2eV。

5.根据权利要求1所述的一种宽光谱响应光电探测器，其特征在于：所述的不透明电极层(404)为三层复合结构，包括第一不透明电极层(4041)、第二不透明电极层(4042)和第三不透明电极层(4043)，所述的第一不透明电极层(4041)为WO3，第一不透明电极层的厚度2-

40nm，所述的第二不透明电极层(4042)为Au，第二不透明电极层的厚度40-1000nm，所述的第三不透明电极层(4043)为Al2O3，第三不透明电极层的厚度20-50nm，且第三不透明电极层(4043)采用原子层沉积技术制备。