1.一种宽光谱响应的有机光电探测器，其特征在于，包括依次层叠设置的衬底、透明导电层、阳极修饰层、光敏层、空穴阻挡层以及阴极层，其中：所述透明导电层的厚度为100nm 150nm；所述阳极修饰层的厚度为35nm 50nm；所述光~ ~敏层的厚度为100nm 240nm；所述空穴阻挡层的厚度为35nm 50nm；所述阴极层厚度为80nm~ ~ ~

120nm；

所述透明导电层为一透明电极层；所述阳极修饰层为P型半导体材料；所述光敏层为包含有机聚合物给体材料、小分子给体材料和受体材料的混合物；所述空穴阻挡层为N型半导体材料；所述阴极层为低功函金属材料。

2.根据权利要求1所述的一种宽光谱响应的有机光电探测器，其特征在于，所述透明电极层为金属、ITO、石墨烯或其他透明电极中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的一种宽光谱响应的有机光电探测器，其特征在于，所述光敏层包括聚合物P3HT给体材料、小分子BODIPY给体材料和小分子PCBM受体材料。

4.根据权利要求3所述的一种宽光谱响应的有机光电探测器，其特征在于，所述BODIPY给体材料具有一种以上的分子结构。

5.根据权利要求3所述的一种宽光谱响应的有机光电探测器，其特征在于，所述P3HT给体材料的聚合物结构为： 。

6.根据权利要求3所述的一种宽光谱响应的有机光电探测器，其特征在于，所述PCBM受体材料的结构为： 。

7.根据权利要求1所述的一种宽光谱响应的有机光电探测器，其特征在于，所述空穴阻挡层为C60、TPBi、Balq等N型半导体材料或Ca，Mg金属中的任意一种。

8.根据权利要求1所述的一种宽光谱响应的有机光电探测器，其特征在于，所述阴极层为Al，Ag等低功函金属材料中的任意一种。