1.一种（TiNbCrWTa）Cx高熵陶瓷，其特征在于：所述高熵陶瓷为单相面心立方结构的陶瓷，包括以下原子比的单质和碳化物：23%的Ti，23%的NbC， 23%的WC，23%的TaC，其余为Cr3C2。

2.一种制备权利要求1所述的（TiNbCrWTa）Cx高熵陶瓷的方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：将一种金属和四种碳化物原料粉末混合均匀，得到混合粉末A；

S2：通过真空热压烧结技术，将混合粉末A放入导热性能良好的石墨模具中进行固相反应烧结，得到高熵陶瓷（TiNbCrWTa）Cx。

3.根据权利要求2所述的一种（TiNbCrWTa）Cx高熵陶瓷的制备方法，其特征在于：所述原料粉末分别为Ti粉、NbC粉、Cr3C2粉、WC粉和TaC粉，各粉末纯度均高于99.5%。

4.根据权利要求3所述的一种（TiNbCrWTa）Cx高熵陶瓷的制备方法，其特征在于：所述原料粉末按金属等原子配比，各原料粉末的比例为Ti:NbC:Cr3C2: WC:TaC=3:3:1:3:3。

5.根据权利要求4所述的一种（TiNbCrWTa）Cx高熵陶瓷的制备方法，其特征在于：所述步骤S1的具体步骤为：S11：将各原料粉末按照等金属原子比进行称量；

S12：把S11称量的原料粉末装入玛瑙球磨罐中，球粉比为6:1，采用真空硅脂密封球磨罐，并向球磨罐中充入氩气；

S13：采用行星式球磨机进行球磨，转速为200r/min，球磨时间10h。

6.根据权利要求5所述的一种（TiNbCrWTa）Cx高熵陶瓷的制备方法，其特征在于：所述Ti粉的粒度为45μm，NbC粉的粒度为4μm，Cr3C2粉的粒度为1μm，WC粉的粒度为1μm，TaC粉的粒度为4μm。

7.根据权利要求2所述的一种（TiNbCrWTa）Cx高熵陶瓷的制备方法，其特征在于：所述S2石墨模具的内壁及与粉末接触的位置均设有石墨纸。

8.根据权利要求2所述的一种（TiNbCrWTa）Cx高熵陶瓷的制备方法，其特征在于：所述步骤S2的固相反应烧结过程先采用10MPa的预压力，然后逐渐升压，并采用30MPa保压，在烧结‑2过程中石墨模具的真空度始终保持低于1.8×10 Pa。

9.根据权利要求8所述的一种（TiNbCrWTa）Cx高熵陶瓷的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中固相反应烧结温度为1350 1650℃，升温速率为10 ℃/min，保温时间2h；烧结结束~后，随炉冷却到室温，取出样品。