1.一种高熵硼化物陶瓷，其特征在于，所述高熵硼化物陶瓷为单相的三元硼化合物，所述三元硼化合物的化学式为(WaMob)2(FexCoyNiz)B2，其中，a和b的原子比为(0.4～0.6):(0.4～0.6)，a+b＝1；x、y和z的原子比为(0.25～0.32):(0.33～0.4):(0.33～0.4)，x+y+z＝1。

2.根据权利要求1所述的高熵硼化物陶瓷，其特征在于，其中，a和b的原子比为(0.45～

0.55):(0.45～0.55)，x、y和z的原子比为(0.28～0.32):(0.34～0.36):(0.34～0.36)。

3.根据权利要求2所述的高熵硼化物陶瓷，其特征在于，a和b的原子比为0.5:0.5，x、y和z的原子比为0.3:0.35:0.35，所述三元硼化合物的化学式为(W0.5Mo0.5)2(Fe0.3Co0.35Ni0.35)B2。

4.根据权利要求1～3任意一项所述的高熵硼化物陶瓷，其特征在于，所述三元硼化合物的单相结构表现为Mo2NiB2型，并且与Mo2NiB2相的标准特征峰显示出偏移。

5.根据权利要求1～3任意一项所述的高熵硼化物陶瓷，其特征在于，所述三元硼化合物形成了Mo‑B共价键和W‑B共价键。

6.根据权利要求1～3任意一项所述的高熵硼化物陶瓷，其特征在于，所述三元硼化合物的维氏硬度比化合物Mo2NiB2高20％以上。

7.一种高熵硼化物陶瓷的制备方法，用于制备权利要求1～6任一项所述的高熵硼化物陶瓷，其特征在于，包括以下制备步骤：S1.按照配比称量原料粉体，所述原料粉体为W粉、Mo粉、Fe粉、Co粉、Ni粉和B粉；

S2.球磨，将所述原料粉体进行球磨，混合均匀得到混合粉体；

S3.压坯烧结，将所述混合粉体压制成坯后，进行烧结，制备得到高熵硼化物陶瓷。

8.根据权利要求7所述的高熵硼化物陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述原料粉体的粒径为10μm以下。

9.根据权利要求7所述的高熵硼化物陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤S2中，球磨采用湿磨，球磨转速为100～400rpm，球磨时间为10～30h，球磨结束后烘干，得到所述混合粉体。

10.根据权利要求7所述的高熵硼化物陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤S3中，采用真空烧结或惰性气氛保护烧结，烧结温度为1350～1500℃，烧结时间为0.5～3h。