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专利号: 2021101681202
申请人: 燕山大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2026-06-16
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种(CrZrTiNbV)N高熵陶瓷块体的制备方法,其特征在于:所述高熵陶瓷块体为单相面心立方结构的陶瓷,包括以下摩尔比的氮化物:18%~22%的CrN、18%~22%的VN、

18%~22%的NbN、18%~22%的TiN、其余为ZrN;制备方法包括以下步骤:(1)预合金化陶瓷粉体的制备:在氩气保护氛围下,称取等摩尔比的CrN、ZrN、NbN、TiN、VN五种粉末,加入一定量的酒精,将粉末进行球磨,得到成分均匀的纳米尺寸的陶瓷粉末混合物;

(2)高熵陶瓷粉体的制备:真空条件下,将步骤(1)得到的纳米尺寸的陶瓷粉末混合物进行热处理,热处理后再进行退火处理,得到具有超细晶的(CrZrTiNbV)N高熵陶瓷粉体;所述热处理温度为700~900℃,热处理时间为0.5~1h;

(3)高熵陶瓷块体的制备:将步骤(2)制备的超细晶的(CrZrTiNbV)N高熵陶瓷粉体在氩气保护氛围下装入石墨模具中,在真空热压炉中进行烧结,得到(CrZrTiNbV)N高熵陶瓷块体;所述烧结采用辐射加热方式,烧结温度为1200℃~1550℃,烧结过程的升温速率为10℃/min,烧结时间为2~5h,烧结压力为30Mpa。

2.根据权利要求1所述的一种(CrZrTiNbV)N高熵陶瓷块体的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)的球磨转速为220~260r/min,球磨时间为30h~40h,球料比为10:1。

3.根据权利要求1所述的一种(CrZrTiNbV)N高熵陶瓷块体的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中五种粉末的总质量与酒精的体积比为25:2。