1.一种锑基半导体单晶的制备方法，其特征在于，使用五氧化二锑乳液作为锑源代替锑盐，通过溶剂热法制备高质量和低界面缺陷的一维锑基半导体单晶材料，包括以下步骤：（1）将五氧化二锑乳液、硫源或硒源，和Ag盐或Cu盐按照一定比例溶于或部分溶于水中，得到前驱体混合液；

（2）将前驱体混合液转移至高温高压反应釜，在水热反应一段时间后，即可得到一维锑基半导体单晶。

2.如权利要求1所述的一种锑基半导体单晶的制备方法，其特征在于，一维锑基半导体单晶材料为Sb2S3、Sb2Se3、AgSbS2、AgSbSe2、CuSbS2、或CuSbSe2。

3.如权利要求1所述的一种锑基半导体单晶的制备方法，其特征在于，所述步骤1中五氧化二锑乳液溶度为0.01‑60 wt%。

4.如权利要求1所述的一种锑基半导体单晶的制备方法，其特征在于，所述步骤1中硫源为硫脲和单质硫的一种或两种；硒源为硒脲和单质硒的一种或两种。

5.如权利要求1所述的一种锑基半导体单晶的制备方法，其特征在于，所述步骤1中Ag盐为硝酸银、柠檬酸银的一种或两种；Cu盐为乙酸铜、硝酸铜、氯化铜的一种或多种。

6.如权利要求1所述的一种锑基半导体单晶的制备方法，其特征在于，所述步骤1中五氧化二锑：（硫源或硒源）：（Ag盐或Cu盐）的摩尔比例为1：（1‑10）：（0‑6）。

7.如权利要求1所述的一种锑基半导体单晶的制备方法，其特征在于，所述步骤2中水热反应温度为60‑350℃。

8.如权利要求1所述的一种锑基半导体单晶的制备方法，其特征在于，所述步骤2中的水热反应时间为0.1‑72小时。