1.一种单晶NaNbO3立方体，其特征在于，所述单晶NaNbO3立方体为正交晶型；所述单晶NaNbO3立方体的边长为100 nm~10 μm。

2.一种权利要求1所述单晶NaNbO3立方体的制备方法，其特征在于，采用以下步骤：（1）取多层铌基MXenes置于四甲基氢氧化铵溶液中，加热至25 55 ℃下搅拌6 24小时；

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（2）将步骤（1）所得溶液离心，将上层液体倒掉，加去离子水震荡，使下层铌基MXenes分散，离心，得到的上层溶液即为少层铌基MXenes溶液；

（3）取氢氧化钠加入步骤（2）所得少层铌基MXenes溶液中搅拌均匀得到混合溶液；

（4）将步骤（3）所得混合溶液进行水热反应，水热反应的温度为120 220 ℃，反应时长~为1 24 h；

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（5）步骤（4）水热反应后的溶液抽滤并干燥即得单晶NaNbO3立方体。

3.根据权利要求2所述的单晶NaNbO3立方体的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述多层铌基MXenes采用以下方法制备：（1）将2 g Nb2AlC置于20 mL氢氟酸中常温刻蚀90小时；

（2）将步骤（1）刻蚀完的混合溶液离心，并加入去离子水反复清洗，直到上层清液pH为

6；

（3）取步骤（2）产物，倒掉上层清液，下层沉淀干燥，得到多层铌基MXenes。

4.根据权利要求2所述的单晶NaNbO3立方体的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述多层铌基MXenes与四甲基氢氧化铵水溶液的配比为：1 g多层铌基MXene对应10 mL四甲基氢氧化铵水溶液；所述四甲基氢氧化铵水溶液的浓度为25wt.%。

5.根据权利要求2所述的单晶NaNbO3立方体的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中少层铌基MXenes的浓度为1 mol/L 10 mol/L。

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6.根据权利要求2所述的单晶NaNbO3立方体的制备方法，其特征在于，氢氧化钠在步骤（3）所述混合溶液中的浓度为1 mol/L 5 mol/L。

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7.根据权利要求2 6任一项所述的制备方法，其特征在于，具体的制备方法采用以下步~骤：

（1）首先将2.0 g Nb2AlC置于20 ml 质量分数浓度为50%氢氟酸中，常温刻蚀90小时；

（2）将步骤（1）刻蚀完的液体离心，用去离子水反复清洗，直到上层清液pH为6；

（3）将步骤（2）所得产物，倒掉上层清液，取下层沉淀置于真空干燥箱干燥，得到多层铌基MXenes；

（4）取1 g步骤（3）制备的多层铌基MXenes置于10 ml质量分数浓度为25%四甲基氢氧化铵水溶液中，35℃下加热搅拌24小时；

（5）将步骤（4）所得溶液使用离心，将第一次所得上层液体倒掉，在离心管中添加去离子水，使下层MXenes分散，离心，得到的上层溶液即为少层铌基MXenes溶液；

（6）取30 mL步骤（5）所制备的少层铌基MXenes 溶液和1.2 6.0 g氢氧化钠粉末搅拌，~并转移到50 mL的反应釜中；

（7）将步骤（6）中的反应釜置于烘箱中，在120 220℃下反应1 24 h；

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（8）自然冷却到室温后，取出步骤（7）溶液抽滤收集并在烘箱中干燥，便得到单晶NaNbO3立方体。

8.一种权利要求1所述的单晶NaNbO3立方体的应用，其特征在于，所述单晶NaNbO3立方体作为锂离子电容器负极材料。