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专利号: 202011137913X
申请人: 济南大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2026-08-19
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种单晶NaNbO3立方体的制备方法,其特征在于,采用以下步骤:(1)取1g多层铌基MXenes置于10 mL四甲基氢氧化铵水溶液中,加热至25 55 ℃下搅拌~

6~24小时;所述多层铌基MXenes的制备方法为:①将2 g Nb2AlC置于20 mL氢氟酸中常温刻蚀90小时;②将步骤①刻蚀完的混合溶液离心,并加入去离子水反复清洗,直到上层清液pH为6;③取步骤②的产物,倒掉上层清液,下层沉淀干燥,得到多层铌基MXenes;

(2)将步骤(1)所得溶液离心,将上层液体倒掉,加去离子水震荡,使下层铌基MXenes分散,离心,得到的上层溶液即为少层铌基MXenes溶液;

(3)取氢氧化钠加入步骤(2)所得少层铌基MXenes溶液中搅拌均匀得到混合溶液;氢氧化钠在所述混合溶液中的浓度为1 mol/L 5 mol/L;

~

(4)将步骤(3)所得混合溶液进行水热反应,水热反应的温度为120 220 ℃,反应时长~为1 24 h;

~

(5)步骤(4)水热反应后的溶液抽滤并干燥即得单晶NaNbO3立方体。

2.根据权利要求1所述的单晶NaNbO3立方体的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述四甲基氢氧化铵水溶液的浓度为25wt.%。

3.根据权利要求1所述的单晶NaNbO3立方体的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中少层铌基MXenes的浓度为1 mol/L 10 mol/L。

~

4.根据权利要求1 3任一项所述的制备方法,其特征在于,具体的制备方法采用以下步~骤:

(1)首先将2.0 g Nb2AlC置于20 ml 质量分数浓度为50%氢氟酸中,常温刻蚀90小时;

(2)将步骤(1)刻蚀完的液体离心,用去离子水反复清洗,直到上层清液pH为6;

(3)将步骤(2)所得产物,倒掉上层清液,取下层沉淀置于真空干燥箱干燥,得到多层铌基MXenes;

(4)取1 g步骤(3)制备的多层铌基MXenes置于10 ml质量分数浓度为25%四甲基氢氧化铵水溶液中,35℃下加热搅拌24小时;

(5)将步骤(4)所得溶液使用离心,将第一次所得上层液体倒掉,在离心管中添加去离子水,使下层MXenes分散,离心,得到的上层溶液即为少层铌基MXenes溶液;

(6)取30 mL步骤(5)所制备的少层铌基MXenes 溶液和1.2 6.0 g氢氧化钠粉末搅拌,~并转移到50 mL的反应釜中;

(7)将步骤(6)中的反应釜置于烘箱中,在120 220℃下反应1 24 h;

~ ~

(8)自然冷却到室温后,取出步骤(7)溶液抽滤收集并在烘箱中干燥,便得到单晶NaNbO3立方体。

5.一种权利要求1‑4任一项所述制备方法制备的单晶NaNbO3立方体的应用,其特征在于,所述单晶NaNbO3立方体作为锂离子电容器负极材料。