1.一种ReS2(1‑x)Se2x肖特基结型光电探测器的制作方法，其特征在于：包括在覆盖有ReS2(1‑x)Se2x纳米多孔薄膜的P型硅晶衬底上使用蒸镀方法蒸镀银电极层。

2.根据权利要求1所述的ReS2(1‑x)Se2x肖特基结型光电探测器的制作方法，其特征在于：ReS2(1‑x)Se2x纳米多孔薄膜的厚度为0.7～100nm，银电极层的厚度为50～100nm。

3.根据权利要求1所述的ReS2(1‑x)Se2x肖特基结型光电探测器的制作方法，其特征在于：在P型硅晶衬底蒸镀时，将P型硅晶衬底放置在叉指电极掩膜板上，通过物理气相沉积装置‑4 ‑5在10 ～10 Torr低真空条件下以 的速率进行蒸镀。

4.根据权利要求1所述的ReS2(1‑x)Se2x肖特基结型光电探测器的制作方法，其特征在于：覆盖有ReS2(1‑x)Se2x纳米多孔薄膜的P型硅晶衬底由以下方法制得：(1)获取P型硅晶衬底，对P型硅晶衬底的表面进行清洗干净；

(2)获取升华硫粉，放置在加热炉的第一温区的位置，获取铼粉和碲粉，并按照(1∶2)～(1∶4)的比例混合均匀，并放置在加热炉的第二温区的位置，将P型硅晶衬底置于在铼粉和碲粉的混合物上方，并且使P型硅晶衬底的SiO2层面朝向铼粉和碲粉的混合物方向；

(3)加热炉的第二温区以14～16℃/min的升温速率加热到590～610℃，同时加热炉的第一温区升温到200～220℃，在惰性气体的气氛下，持续加热使得P型硅晶衬底的SiO2层面生长出ReS2，将生长有ReS2的P型硅晶衬底冷却至室温；

(4)对加热炉进行清洁处理，获取硒粉，放置在加热炉的第一温区，然后将生长有ReS2的P型硅晶衬底放置在加热炉的第二温区，P型硅晶衬底的ReS2层面朝上设置；

(5)加热炉的第一温区加热至850～870℃，同时加热炉的第二温区加热至280～300℃，并且在氢气浓度为4～6％的惰性气体气氛下加热，直至P型硅晶衬底的SiO2层面生长出ReS2(1‑x)Se2x纳米多孔薄膜。

5.根据权利要求4所述的ReS2(1‑x)Se2x肖特基结型光电探测器的制作方法，其特征在于：对P型硅晶衬底的表面进行清洗时，分别用丙酮、酒精和去离子水对P型硅晶衬底进行超声清洗，取出后用氮气吹干至恒重，然后用紫外臭氧清洗机进行清洗。

6.一种ReS2(1‑x)Se2x肖特基结型光电探测器，其特征在于：由权利要求1至5中任意一项所述的ReS2(1‑x)Se2x肖特基结型光电探测器的制作方法制得而成。