1.一种n-CdSxSe1-x薄膜/石墨烯肖特基结太阳能电池，包括依次叠置的衬底(1)、背电极(2)、半导体薄膜层(3)、绝缘层(4)、前电极(5)和石墨烯层(6)，所述绝缘层(4)和前电极(5)设有通孔(7)，所述石墨烯层(6)通过所述通孔(7)与半导体薄膜层(3)表面接触形成肖特基结，其特征在于：所述半导体薄膜层(3)为n型CdSxSe1-x半导体薄膜，其中0

2.根据权利要求1所述的n-CdSxSe1-x薄膜/石墨烯肖特基结太阳能电池，其特征在于：所述CdSxSe1-x半导体薄膜，其中0.2

3.根据权利要求1所述的n-CdSxSe1-x薄膜/石墨烯肖特基结太阳能电池，其特征在于：所述衬底(1)为玻璃、PET、Cu或不锈钢。

4.根据权利要求1所述的n-CdSxSe1-x薄膜/石墨烯肖特基结太阳能电池，其特征在于：所述背电极(2)为Mo。

5.根据权利要求1所述的n-CdSxSe1-x薄膜/石墨烯肖特基结太阳能电池，其特征在于：所述绝缘层(4)为SiO2或Al2O3。

6.根据权利要求1所述的n-CdSxSe1-x薄膜/石墨烯肖特基结太阳能电池，其特征在于：所述前电极(5)为Au、Ag、Cu、Al、ITO或AZO。

7.根据权利要求1所述的n-CdSxSe1-x薄膜/石墨烯肖特基结太阳能电池，其特征在于：所述石墨烯层(6)为单层或多层石墨烯薄膜。