1.一种凹槽型GaN基肖特基二极管，其特征在于，包括由下至上依次层叠设置的衬底、GaN沟道层、AlGaN势垒层及表面钝化层，还包括：阳极，设置在表面钝化层上，且其底部依次穿过表面钝化层、AlGaN势垒层后与GaN沟道层相接触，所述阳极与所述GaN沟道层形成肖特基接触；

阴极，设置在表面钝化层上，且围设在所述阳极的外周，所述阴极与所述阳极之间存在间距，所述阴极的底部依次穿设表面钝化层、AlGaN势垒层后与GaN沟道层相接触，所述阴极与所述GaN沟道层形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的凹槽型GaN基肖特基二极管，其特征在于，所述衬底为Si衬底，所述衬底的厚度为400‑500nm。

3.根据权利要求1所述的凹槽型GaN基肖特基二极管，其特征在于，所述GaN沟道层和AlGaN势垒层均通过金属有机化学气相沉积法制作而成。

4.根据权利要求1或3所述的凹槽型GaN基肖特基二极管，其特征在于，所述GaN沟道层的厚度为1‑2μm，AlGaN势垒层的厚度为17‑25nm。

5.根据权利要求1所述的凹槽型GaN基肖特基二极管，其特征在于，所述表面钝化层为Si3N4层。

6.根据权利要求5所述的凹槽型GaN基肖特基二极管，其特征在于，所述表面钝化层是采用了低压化学气相沉积法在AlGaN势垒层沉积而成。

7.根据权利要求1所述的凹槽型GaN基肖特基二极管，其特征在于，所述阴极与所述阳极之间的间距为5‑30μm。

8.根据权利要求1所述的凹槽型GaN基肖特基二极管，其特征在于，所述阴极，其采用的金属材料为Ti/Al/Ni/Au，金属厚度为20/120/40/50nm，所述阳极，其采用的金属材料为Ni/Au，金属厚度为50/300nm。