1.一种红光倒装Micro‑LED芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、在准确晶格匹配的GaAs衬底层上生长AlGaInP基外延结构，所述AlGaInP基外延结构由下而上包括：n‑InGaP蚀刻阻挡层、重掺杂n‑GaAs欧姆接触层、n‑AlGaInP层、GaInP/AlGaInP多量子阱层、p‑AlGaInP层、p‑GaP层及重掺杂p‑GaP接触层；

步骤2、对所述AlGaInP基外延结构进行刻蚀，形成直达所述重掺杂n‑GaAs欧姆接触层的N型通孔；

步骤3、在所述重掺杂p‑GaP接触层上沉积第一层P电极；

步骤4、在所述第一层P电极的表面、所述AlGaInP基外延结构的侧壁以及所述N型通孔的侧壁均沉积绝缘层；

步骤5、在所述N型通孔中沉积第一层N电极；

步骤6、沉积钝化层，对所述钝化层进行刻蚀形成N电极互连孔与P电极接触孔；

步骤7、蒸镀第二层电极；将所述第二层电极分隔为第二层N电极和第二层P电极，所述第一层N电极和所述第二层N电极通过所述N电极互连孔互相连接；

步骤8、蚀刻所述GaAs衬底层和所述n‑InGaP蚀刻阻挡层；

步骤9、对所述重掺杂n‑GaAs欧姆接触层进行选择性刻蚀，形成n‑GaAs点接触阵列；所述n‑GaAs点接触阵列包含的n‑GaAs点接触的数量、形状、尺寸均与所述N型通孔相同。

2.根据权利要求1所述的红光倒装Micro‑LED芯片的制造方法，其特征在于，所述步骤3中的所述第一层P电极为AuZn/Ag/TiW/Pt/Ti/Pt/Ti/Pt/Ti金属堆栈层；所述AuZn/Ag/TiW/Pt/Ti/Pt/Ti/Pt/Ti金属堆栈层的总厚度为3.6～4μm。

3.根据权利要求1所述的红光倒装Micro‑LED芯片的制造方法，其特征在于，所述重掺

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杂n‑GaAs欧姆接触层的掺杂浓度为1×10 ～1×10 cm 。

4.根据权利要求1所述的红光倒装Micro‑LED芯片的制造方法，其特征在于，所述步骤4中的所述绝缘层由12对TiO2/SiO2组成，每层TiO2的厚度为100～150nm，每层SiO2的厚度为

50～100nm。

5.根据权利要求1所述的红光倒装Micro‑LED芯片的制造方法，其特征在于，所述步骤5中的所述第一层N电极为AuGe/Ni/Au金属层；所述步骤6中的所述钝化层的材料为SiO2或SiNx；所述步骤7中的所述第二层电极为Cr/Pt/Au金属层。

6.根据权利要求1所述的红光倒装Micro‑LED芯片的制造方法，其特征在于，所述步骤9中，所述n‑GaAs点接触阵列中包含的n‑GaAs点接触的数量为4～9个。

7.根据权利要求1所述的红光倒装Micro‑LED芯片的制造方法，其特征在于，所述步骤9中，所述n‑GaAs点接触阵列中单个n‑GaAs点接触的形状为圆形，半径为1～6μm。

8.根据权利要求7所述的红光倒装Micro‑LED芯片的制造方法，其特征在于，单个所述n‑GaAs点接触的半径为1μm，得到的红光倒装Micro‑LED芯片的光提取效率为55％。

9.根据权利要求1所述的红光倒装Micro‑LED芯片的制造方法，其特征在于，所述n‑InGaP蚀刻阻挡层的厚度为60～100nm，所述重掺杂n‑GaAs欧姆接触层的厚度为300～

400nm，所述n‑AlGaInP层的厚度为1～1.5μm，所述GaInP/AlGaInP多量子阱层的厚度为0.5～0.7μm，所述p‑AlGaInP层的厚度为0.7～0.9μm，所述p‑GaP层的厚度为4.5～5μm，所述重掺杂p‑GaP接触层的厚度为5～10nm。

10.一种红光倒装Micro‑LED芯片，其特征在于，采用如权利要求1‑9中任一项所述的红光倒装Micro‑LED芯片的制造方法得到。