1.一种Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)、将Micro-LED芯片进行表面电荷化处理；

(2)、转移基板上预先设置了所需排布方式的电极阵列；将经步骤(1)处理的Micro-LED芯片浸没于第一溶液中；将转移基板和电极浸入第一溶液中，两者中的一者连接电源的正极，另一者连接电源的负极；转移基板与Micro-LED芯片成相反电荷；

(3)、电源通电；转移基板上的电极阵列吸附有成阵列分布的Micro-LED芯片；

(4)、将转移基板和承载基板进行倒装，使转移基板上的Micro-LED芯片与承载基板上的焊盘对准；

(5)、将Micro-LED芯片脱离转移基板表面，转移到承载基板的焊盘上；

(6)重复上述步骤(2)-(5)，将多种形状的Micro-LED芯片依次转移至同一承载基板上。

2.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，所述步骤(2)中，转移基板上设有至少2种电极阵列；

各个电极阵列设有吸附工位，且不同电极阵列上的吸附工位，其形状不同；

形状相同的Micro-LED芯片吸附于对应形状的吸附工位。

3.根据权利要求2所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，所述步骤(2)中，转移基板上设有3种电极阵列；若干个Micro-LED芯片为红、蓝和绿中的一种颜色，且相同颜色的Micro-LED芯片为相同形状；

所述步骤(6)后，获得三原色Micro-LED芯片的承载基板。

4.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，所述步骤(2)中，第一溶液的上表面还分层有第二溶液；第二溶液与第一溶液互不浸润，且密度小于第一溶液；

Micro-LED芯片经第二溶液后进入第一溶液后，其外壁带有第二溶液形成的液泡。

5.根据权利要求4所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，所述步骤(2)中，转移基板为竖直状态或水平状态设置于第一溶液内，电极对应与转移基板平行。

6.根据权利要求5所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，步骤(3)处通过在第一溶液的下方通入气体。

7.根据权利要求6所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，在步骤(3)处通过在第一溶液的下方通入气体后，通过对第一溶液所在的容器进行超声处理。

8.根据权利要求1-7任意一项所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，所述步骤(1)包括以下步骤：(1-1)、在Micro-LED芯片背离电极一侧的表面涂覆表面处理层；

(1-2)、将表面处理层浸泡于表面处理溶液，其中表面处理溶液内带极性有机物。

9.根据权利要求8所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，步骤(1-1)中使用环氧树脂涂覆获得表面处理层。

10.根据权利要求9所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，所述步骤(1-2)中，若使Micro-LED芯片带正电时，极性有机物选取聚二甲基二烯丙基氯化铵、聚烯丙基胺盐酸盐和氨基芘中的一种；

若使Micro-LED芯片带负电时，极性有机物选取聚二丙烯酰胺基二甲基丙磺酸、PAZO、聚苯乙烯磺酸钠和聚丙烯酸中的一种。