1.一种基于氧化镓异质结构的日盲紫外探测器，其特征在于：包括蓝宝石的衬底(1)，置于所述衬底(1)上方的β‑Ga2O3薄膜(2)，置于所述β‑Ga2O3薄膜(2)上方的SSO层(3)，置于所述SSO层(3)上的第一测试电极(4)，置于所述SSO层(3)一侧且位于所述β‑Ga2O3薄膜(2)上的第二测试电极(5)，所述β‑Ga2O3薄膜(2)与所述SSO层(3)形成β‑Ga2O3/SSO异质结，构成内界电场，所述SSO层(3)为SrSnO3，且SrSnO3需在氧气氛围中退火且进行Y元素掺杂形成Y‑O2‑SrSnO3。

2.根据权利要求1所述的一种基于氧化镓异质结构的日盲紫外探测器，其特征在于：所述β‑Ga2O3薄膜(2)的厚度为300～700nm，所述SSO层(3)的厚度为50～300nm。

3.根据权利要求2所述的一种基于氧化镓异质结构的日盲紫外探测器，其特征在于：所述β‑Ga2O3薄膜(2)的面积大于所述SSO层(3)的面积，所述SSO层(3)的面积为所述β‑Ga2O3薄膜(2)的面积的三分之二。

4.根据权利要求3所述的一种基于氧化镓异质结构的日盲紫外探测器，其特征在于：所述SSO层(3)为SrSnO3，且所述SrSnO3需在氧气氛围中退火且进行Y元素掺杂形成Y‑O2‑SrSnO3，所述退火的氧气流量为1‑100sccm，退火温度为100～900℃，退火时间5‑120min。

5.根据权利要求4所述的一种基于氧化镓异质结构的日盲紫外探测器，其特征在于：所述Y元素的掺杂量为0.01‑0.1％。

6.根据权利要求5所述的一种基于氧化镓异质结构的日盲紫外探测器，其特征在于：所述第一测试电极(4)和所述第二测试电极(5)均为Ti/Au复合电极，所述Ti/Au复合电极由Ti层和Au层构成，所述Ti层厚度为10～50nm，所述Au层厚度为10～100nm。

7.一种基于氧化镓异质结构的日盲紫外探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：将蓝宝石的衬底(1)进行预处理，分别用丙酮，无水乙醇和去离子水超声

10min，将处理后的所述衬底(1)放入沉积室内采用金属氧化物化学气相沉积法(MOCVD)生长β‑Ga2O3薄膜，形成β‑Ga2O3光吸收层，即β‑Ga2O3薄膜(2)，所述MOCVD的生长沉积条件如下，三乙基镓(TEGa)和高纯O2为前驱体，高纯Ar作为载气，TEGa的气体流量为10～500sccm，工作气压为25Torr；

步骤二：在所述衬底(1)和所述β‑Ga2O3光吸收层上旋涂SSO溶液，形成SSO层(3)，获得位于所述衬底(1)上的所述β‑Ga2O3/SSO异质结；

步骤三，采用磁控溅射方法在所述β‑Ga2O3/SSO异质结的所述SSO层(3)上制作Ti/Au薄膜第一测试电极(4)，在所述β‑Ga2O3薄膜(2)上制作Ti/Au薄膜第二测试电极(5)，形成基于氧化镓基异质结构的日盲紫外探测器。

8.根据权利要求7所述的一种基于氧化镓异质结构的日盲紫外探测器的制备方法，其特征在于：步骤二中的所述SSO溶液：将SSO粉末分散在乙二醇甲醚溶液中，超声50分钟获得分散后的SSO溶液，步骤二中的所述旋涂SSO溶液：旋转参数为500转速旋转5秒或3000转速旋转40秒。

9.根据权利要求8所述的一种基于氧化镓异质结构的日盲紫外探测器的制备方法，其‑4

特征在于：步骤三中的所述磁控溅射方法：磁控溅射工艺条件包括：真空度为1×10 Pa，衬底温度为室温，工作气氛为Ar气，工作气压为1.2Pa，溅射功率为40W，Ti层溅射时间为2分钟，Au层溅射时间为5分钟。