1.基于Ga2O3/CuI异质PN结的日光盲紫外探测器，其特征在于，衬底材料(5)上形成Ga2O3/CuI异质PN结，所述Ga2O3/CuI异质PN结包括设置在衬底材料(5)上的N型Ga2O3层(4)以及设置在该Ga2O3层(4)部分区域上的P型CuI层(5)；在所述CuI层(5)上形成正极(2)，在所述Ga2O3层(4)的另外区域上形成负极(1)；当一定波长的紫外光照射所述Ga2O3/CuI异质PN结时，所述正极(2)和负极(1)之间将会产生光生载流子，以此实现紫外探测。

2.根据权利要求1所述的基于Ga2O3/CuI异质PN结的日光盲紫外探测器，其特征在于，所述负极(1)和Ga2O3层(4)形成欧姆接触；所述正极(2)和CuI层(5)形成欧姆接触。

3.根据权利要求1或2所述的基于Ga2O3/CuI异质PN结的日光盲紫外探测器，其特征在于，所述Ga2O3层(4)与CuI层(5)之间还设有插入层，该插入层为本征半导体。

4.根据权利要求1或2所述的基于Ga2O3/CuI异质PN结的日光盲紫外探测器，其特征在于，所述衬底材料(5)为Ga2O3衬底、GaN衬底或SiC衬底中任一种。

5.根据权利要求1或2所述的基于Ga2O3/CuI异质PN结的日光盲紫外探测器，其特征在于，所述CuI层(5)为在Ga2O3层(4)上形成CuI隔离岛。

6.根据权利要求1或2所述的基于Ga2O3/CuI异质PN结的日光盲紫外探测器，其特征在于，所述CuI层(5)为在Ga2O3层(4)上形成CuI纳米柱阵列结构，CuI纳米柱阵列结构为多个间隔分布的CuI纳米柱，所述正极(2)设置在多个CuI纳米柱上。

7.根据权利要求6所述的基于Ga2O3/CuI异质PN结的日光盲紫外探测器，其特征在于，每个CuI纳米柱的直径为1～200nm。

8.根据权利要求1或2所述的基于Ga2O3/CuI异质PN结的日光盲紫外探测器，其特征在于，所述CuI层(5)为在Ga2O3层(4)上形成多个间隔分布的CuI纳米条，所述正极(2)设置在多个CuI纳米条上。

9.根据权利要求8所述的基于Ga2O3/CuI异质PN结的日光盲紫外探测器，其特征在于，每个CuI纳米条的长度为100nm，宽度为1～200nm。

10.根据权利要求1或2所述的基于Ga2O3/CuI异质PN结的日光盲紫外探测器，其特征在于，所述正极(2)的材料为石墨烯或ITO；所述负极(1)的材料为Ti/Au。