1.一种氧化镓pn异质结二极管，其特征在于：由下至上为阴极欧姆电极、Ga2O3衬底区、Ga2O3漂移区、双层NiOXP型结终端扩展区、阳极欧姆电极，还包括位于所述双层NiOXP型结终端扩展区和阳极欧姆电极上表面的钝化层；其中，所述双层NiOXP型结终端扩展区由下至上包括第一层轻掺杂NiOXP型结终端扩展区和第二层重掺杂NiOXP型结终端扩展区，所述第二层重掺杂NiOXP型结终端扩展区的宽度与所述阳极欧姆电极宽度一致，所述第一层轻掺杂NiOXP型结终端扩展区的超出所述阳极欧姆电极的部分设置有单级台阶结终端；所述单级台阶结终端的单边台面宽度为L＝20μm，所述单级台阶结终端的台面密度

13 ‑2 19 ‑3

DJET＝2.3x10 cm ；所述Ga2O3衬底区的厚度为0.4μm、掺杂浓度为1×10 cm ；所述

16 ‑3

Ga2O3漂移区的厚度为10μm、掺杂浓度为1.5×10 cm ；第一层轻掺杂NiOXP型结终端扩展区

18 ‑3

的掺杂浓度为1×10 cm ，第二层重掺杂NiOXP型结终端扩展区的厚度为0.1μm、掺杂浓度为

19 ‑3

3.6×10 cm 。

2.一种氧化镓pn异质结二极管，其特征在于：由下至上为阴极欧姆电极、Ga2O3衬底区、Ga2O3漂移区、双层NiOXP型结终端扩展区、阳极欧姆电极，还包括位于所述双层NiOXP型结终端扩展区和阳极欧姆电极上表面的钝化层；其中，所述双层NiOXP型结终端扩展区由下至上包括第一层轻掺杂NiOXP型结终端扩展区和第二层重掺杂NiOXP型结终端扩展区，所述第二层重掺杂NiOXP型结终端扩展区的宽度与所述阳极欧姆电极宽度一致，所述第一层轻掺杂NiOXP型结终端扩展区的超出所述阳极欧姆电极的部分设置有双级台阶结终端；所述双级

13 ‑2

台阶结终端的第一级台阶的单边台面宽度为L1＝20μm，台面密度为DJET1＝4.0x10 cm ；所

13

述双级台阶结终端的第二级台阶的单边台面宽度为L2＝20μm，台面密度为DJET2＝2.3x10  ‑2 19 ‑3cm ；所述Ga2O3衬底区的厚度为0.4μm、掺杂浓度为1×10 cm ；所述Ga2O3漂移区的厚度为

16 ‑3

10μm、掺杂浓度为1.5×10 cm ；第一层轻掺杂NiOXP型结终端扩展区的掺杂浓度为1×

18 ‑3 19 ‑3

10 cm ，第二层重掺杂NiOXP型结终端扩展区的厚度为0.1μm、掺杂浓度为3.6×10 cm 。