1.一种智能化传感的GeSe二维纳米红外光谱探测器，其特征在于；所述探测器基底上设有GeSe二维纳米材料感光层(4)，GeSe二维纳米材料感光层(4)旋涂掺杂有GeSe二维纳米材料。

2.根据权利要求1所述的智能化传感的GeSe二维纳米红外光谱探测器，其特征在于，基底上依次设有栅极电极(1)、绝缘层(2)、源漏电极(3)、GeSe二维纳米材料感光层(4)、半导体有源层(5)，所述的栅极点击置于底层，由下到上依次是绝缘层(2)，源漏电极(3)，GeSe二维纳米材料感光层(4)，半导体有源层(5)，栅极电极(1)由泼墨打印形成。

3.根据权利要求1所述的智能化传感的GeSe二维纳米红外光谱探测器，其特征在于；所述栅绝缘层(2)的材料为二氧化硅、氮化硅、氧化铝其中的一种。

4.根据权利要求1所述的智能化传感的GeSe二维纳米红外光谱探测器，其特征在于；所述栅绝缘层(2)通过化学气相沉积、原子层沉积或磁控溅射加工形成。

5.根据权利要求1所述的智能化传感的GeSe二维纳米红外光谱探测器，其特征在于：所述栅绝缘层(2)是利用旋涂、打印或点胶方法制造的PMMA或Su8溶胶凝胶的有机物栅绝缘层。

6.根据权利要求1所述的智能化传感的GeSe二维纳米红外光谱探测器，其特征在于：半导体有源层(5)所用材料为硒化镉、硒化铅、硫化铅、氧化铅中的一种。

7.根据权利要求1所述的智能化传感的GeSe二维纳米红外光谱探测器，使用红外光谱电流重构方法进行分光，所述方法包括三个步骤:机器学习、采样和重建。

8.根据权利要求1‑6任一项所述的智能化传感的GeSe二维纳米红外光谱探测器，其特征在于，所述红外光谱探测器加工包括如下步骤：

1)在透明玻璃上利用泼墨打印制造传感器的栅极电极，并在150度的温度下退火30分钟；

2)利用旋涂、打印或者点胶的方法制造PMMA、Su8等溶胶凝胶的有机物栅绝缘层，将其覆盖在栅极电极之上；

3)在通过校准之后，于绝缘层之上继续利用泼墨打印制造源漏电极，通过调温热台设置阶梯温度退火30分钟；

4)利用旋涂将GeSe二维纳米材料均匀分布于器件之上，重复2‑3次之后能够提高GeSe二维纳米层的感光效率；

5)最后利用磁控溅射将半导体材料覆盖于二维纳米材料感光层之上，半导体层厚度控制在60‑80nm。

9.一种红外光谱探测器的基底，其特征在于，所述基底上设有GeSe二维纳米材料感光层(4)，GeSe二维纳米材料感光层(4)旋涂掺杂有GeSe二维纳米材料。

10.根据权利要求8所述的一种红外光谱探测器的基底，其特征在于，所述基底上依次设有栅极电极(1)、绝缘层(2)、源漏电极(3)、GeSe二维纳米材料感光层(4)、半导体有源层(5)，所述的栅极点击置于底层，由下到上依次是绝缘层(2)，源漏电极(3)，GeSe二维纳米材料感光层(4)，半导体有源层(5)，栅极电极(1)由泼墨打印形成。