1.用于红外图像传感器的新型像素结构，其特征在于，包括：石墨烯光电二极管P1、复位晶体管T1、放大晶体管T2和开关晶体管T3；石墨烯光电二极管P1包含氮化硼/石墨烯/氮化硼三明治结构和硅衬底，氮化硼/石墨烯/氮化硼三明治结构下方与硅衬底形成肖特基结；氮化硼/石墨烯/氮化硼三明治结构作为像素与CMOS图像传感器键合；

石墨烯光电二极管P1的石墨烯端接地，另一端N区接入电位点A；石墨烯的栅极通过多晶硅与氮化硼/石墨烯/氮化硼连接，符号/表示复合连接；电位点A一端电连接复位晶体管T1源区端，电位点A另一端电连接放大晶体管T2的栅极；复位晶体管T1漏区端电连接放大晶体管T2源区端，连接线路上设有电位点V1；开关晶体管T3的源区端和漏区端分别接入行选和放大晶体管T2的漏区端，开关晶体管T3的栅极接入列选；

石墨烯光电二极管P1的衬底上分别设有浅沟道处绝缘隔离槽STI、N阱、P阱、栅极和浅掺杂漏区LDD；在栅极的周围设有一对栅极侧壁；N阱中设有新型像素结构的源区，P阱中设有新型像素结构的漏区；浅沟道处绝缘隔离槽STI、N阱、P阱、栅极、浅掺杂漏区LDD、源区和漏区通过金属连线连接形成电路；电路表面覆盖有钝化层。

2.根据权利要求1所述用于红外图像传感器的新型像素结构，其特征在于：硅衬底为P型掺杂的硅衬底，P型掺杂的硅衬底厚度为待探测的红外光波长的二分之一；硅衬底还为N型掺杂。

3.根据权利要求2所述用于红外图像传感器的新型像素结构，其特征在于：氮化硼/石墨烯/氮化硼中，石墨烯为红外光的光敏材料，顶部和底部的氮化硼层为保护材料。

4.根据权利要求3所述用于红外图像传感器的新型像素结构，其特征在于：石墨烯是带隙为能带结构的材料，氮化硼为高能带带隙的保护材料。

5.根据权利要求1所述用于红外图像传感器的新型像素结构，其特征在于：复位晶体管T1用于复位石墨烯光电二极管P1；放大晶体管T2用于对信号进行放大和缓冲。

6.一种如权利要求1所述的用于红外图像传感器的新型像素结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、有源区光刻定位：将P型掺杂的硅片作为衬底，在硅片表面生长一层Si02或Si3N4，通过光刻技术定义出有源区；有源区为光阻保护下的部分；

步骤2、浅沟道处绝缘隔离槽STI形成：用干法刻蚀技术在未被光阻覆盖的区域刻蚀出浅沟，然后去除光阻；在浅沟中填入Si02，再用化学机械抛光磨平Si02表面，最后去除有源区表面的Si02或Si3N4层；在原来的浅沟处形成绝缘隔离槽STI；

步骤3、N阱和P阱形成；

步骤3.1、利用光刻技术暴露出待注入硼离子的区域，将其它区域用光阻覆盖；在P型掺杂的硅片表面进行硼离子注入，在未被光阻覆盖的区域形成P阱；接着在浅沟区域进行硼离子注入；最后去除光阻；

步骤3.2、利用光刻技术暴露出待注入磷离子的区域，将其它区域用光阻覆盖；在P型掺杂的硅片表面进行磷离子注入，在未被光阻覆盖的区域形成N阱；接着在浅沟区域进行磷离子注入，进而调节开启电压；最后去除光阻；

步骤4、栅极的形成：在步骤3形成的结构上，通过光刻定义出栅极位置，采用干法刻蚀得到栅极；

步骤5、浅掺杂漏区LDD形成；当栅极形成后，采用与步骤3.1和步骤3.2相同的方式，分别在P阱中离子注入砷、在N阱中离子注入氟化硼，形成浅掺杂漏区LDD；

步骤6、栅极侧壁形成：栅极和浅掺杂漏区LDD形成以后，用化学气相淀积在硅片表面沉积一层二氧化硅，然后进行干法刻蚀；干法刻蚀时不进行光刻，直接刻蚀；在栅极的周围形成一对栅极侧壁；

步骤7、新型像素结构的源区和漏区形成：采用与步骤3相同的方式，在N阱中注入高浓度的砷，形成新型像素结构的源区；在P阱中注入高浓度的氟化硼，形成新型像素结构的漏区；

步骤8、金属连线和钝化层覆盖：利用沉积、干法刻蚀、光刻和化学机械抛光技术，一层一层地制作金属连线，把整个电路连接起来；在整个电路表面覆盖一层钝化层。

7.根据权利要求6所述用于红外图像传感器的新型像素结构的制作方法，其特征在于：步骤6中栅极侧壁用于隔离源极与栅极，或隔离漏级与栅极。

8.一种如权利要求1所述的用于红外图像传感器的新型像素结构的工作方法，其特征在于，工作步骤为：首先打开复位晶体管T1，对石墨烯光电二极管P1进行复位；

然后关闭复位晶体管T1，光照射到石墨烯光电二极管P1上产生光生载流子，光生载流子通过放大晶体管T2放大输出；

最后进入读出状态，打开开关晶体管T3，信号通过列总线输出；

通过调节氮化硼/石墨烯/氮化硼三明治结构上的栅压来调节肖特基结的势垒，进一步调节光电流。