1.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一主体晶圆及一载体晶圆，所述主体晶圆具有相对设置的一第一表面及一第二表面；

对所述主体晶圆的第一表面的边缘进行切割，在所述主体晶圆的边缘形成一切割区域及一剥落区域，所述切割区域及所述剥落区域与所述主体晶圆的第一表面具有高度差；

以所述主体晶圆的第一表面为键合面，将所述载体晶圆与所述主体晶圆键合，所述剥落区域与所述载体晶圆之间形成一缝隙；

自所述主体晶圆的所述第二表面去除部分所述主体晶圆，以第一次减薄所述主体晶圆；

形成一阻挡层，所述阻挡层覆盖所述主体晶圆的侧面，并延伸至所述载体晶圆，以遮挡所述缝隙；

自所述主体晶圆的第二表面湿法蚀刻所述主体晶圆，以第二次减薄所述主体晶圆；

在所述主体晶圆的所述第二表面制作至少一器件，形成所述图像传感器。

2.根据权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，在第一次减薄所述主体晶圆的步骤中，所述切割区域的主体晶圆也被去除，使得所述载体晶圆的边缘突出于所述主体晶圆的边缘。

3.根据权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，第一次减薄所述主体晶圆的方法为机械研磨。

4.根据权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，形成所述阻挡层的步骤还包括如下步骤：

在所述主体晶圆的第二表面、侧面及所述载体晶圆的暴露于所述主体晶圆的一表面沉积一初始阻挡层；

去除位于所述主体晶圆的第二表面上的初始阻挡层，或去除位于所述主体晶圆的第二表面及所述载体晶圆的所述表面上的初始阻挡层，保留位于所述主体晶圆的侧面的初始阻挡层，从而形成覆盖所述主体晶圆的侧面的阻挡层。

5.根据权利要求4所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，去除所述阻挡层的方法为干法蚀刻。

6.根据权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，在形成所述阻挡层的步骤之前，还包括一形成缓冲层的步骤，所述缓冲层覆盖所述主体晶圆的侧面，并延伸至所述载体晶圆；在形成所述阻挡层的步骤中，所述阻挡层形成在所述缓冲层上。

7.根据权利要求6所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，所述缓冲层的材料为氧化物，所述阻挡层的材料为氮化物。

8.根据权利要求7所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，所述缓冲层的厚度小于所述阻挡层的厚度。

9.根据权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，采用原子层沉积的方法形成所述阻挡层。

10.根据权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，在第二次减薄所述主体晶圆的步骤中，所述湿法蚀刻的蚀刻液对所述阻挡层的蚀刻速率小于对所述主体晶圆的蚀刻速率。