1.一种通过钝化聚合物晶体管界面提高有机晶体管迁移率的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)衬底清洗：采用P+掺杂的100晶向的低阻硅片作为衬底，电阻率为0.0015Ω·cm；将硅片先后置入去离子水和乙醇的烧杯中，使用超声波清洗机对其进行清洗5‑10分钟，重复操作2次，再使用高纯度氮气，纯度为99.99％，将硅片表面吹干，并在加热台上使用100℃加热20min将硅片彻底烘干，作为栅极使用；

2)表面处理：将烘干后的硅片分别使用等离子体机和紫外臭氧清洗机U/V ozone清洗

15min；

3)制备HfO2栅介质层：使用溶液相的方式，先将HfCl4溶于去离子水DI，四氯化铪HfCl4与去离子水用量比为32.03mg：1ml，在通风橱内将溶液快速搅拌6h，速度为1500rpm，然后在通风橱内固化12h；在大气环境下，将溶液旋涂在硅片上，然后在150℃下预退火3min，之后将其使用U/V ozone清洗15min；然后继续旋涂、预退火和U/V清洗，重复操作9次；最后在150℃下退火1h，形成HfO2薄膜；形成的HfO2薄膜厚度在90nm±5nm；所述的旋涂工艺具体为在大气环境下，将溶液以3000rpm的速度在硅片上旋涂30s；

4)制备PMMA钝化层：首先将PMMA溶于NBA，聚甲基丙烯酸甲酯PMMA与乙酸丁酯NBA用量比为0.2mg：1ml，然后将溶液在80℃下加热12h；然后将HfO2薄膜使用U/V ozone清洗15min；

然后将制备HfO2薄膜的硅片放入手套箱内，并在HfO2薄膜的表面旋涂PMMA，接着使用低温热退火工艺制备PMMA钝化层，形成的PMMA薄膜厚度在10nm±4nm；所述的旋涂方式为将PMMA/NBA溶液以500rpm的速度预旋涂3s，再以1500rpm的速度旋涂30s；所述的低温热退火方式为将硅片在80℃下退火2h；

5)制备有机薄膜：首先将有机半导体DPPT‑TT溶于二氯苯DCB，然后将溶液在80℃下加热12h，加快溶解；然后在PMMA薄膜的表面旋涂DPPT‑TT，接着使用低温热退火工艺制备有机薄膜；

6)电极制备：首先将制备完有机层的硅片放在样品板上，然后在有机层的表面贴上掩‑5

膜版，将样品板上的硅片放入蒸镀仪内；在真空度<10 Pa的条件下，使用物理气相沉积的方式进行铜电极的淀积，厚度为80纳米；铜电极制备完成后，将掩膜版取走，得到所需图案的铜电极，制备得到Si/HfO2/PMMA/DPPT‑TT/Cu的底栅顶接触的晶体管。