1.一种基于SAW的紫外光电探测器，其特征在于，包括漏极（35）、源极（34）、第一Al0.25Ga0.75N层（1）、第三Al0.25Ga0.75N层（3）和第二Al0.25Ga0.75N层（2）；

所述第一Al0.25Ga0.75N层（1）、第三Al0.25Ga0.75N层（3）和第二Al0.25Ga0.75N层（2）顺次设置；

所述第一Al0.25Ga0.75N层（1）顶端设有第一叉指换能器（11）；

所述第二Al0.25Ga0.75N层（2）顶端设有第二叉指换能器（21）；

所述第三Al0.25Ga0.75N层（3）上方设有二维电子气层（31），二维电子气层（31）上方设有Al0.5Ga0.5N层（32），Al0.5Ga0.5N层（32）上方设有p型掺杂GaN层（33），p型掺杂GaN层（33）分别与第一叉指换能器（11）和第二叉指换能器（21）相对设置；

所述Al0.5Ga0.5N层（32）一端连接漏极（35），漏极（35）外接漏电压，Al0.5Ga0.5N层（32）另一端连接源极（34），源极（34）接地。

2.根据权利要求1所述的基于SAW的紫外光电探测器，其特征在于，所述第三Al0.25Ga0.75N层（3）长度为7 μm，厚度大于3.97 μm。

3.根据权利要求1所述的基于SAW的紫外光电探测器，其特征在于，所述Al0.5Ga0.5N层（32）长度为6 μm，厚度为0.03 μm。

4.根据权利要求1所述的基于SAW的紫外光电探测器，其特征在于，所述p型掺杂GaN层（33）长度为5.9 μm，厚度为0.05 μm。

5.根据权利要求1所述的基于SAW的紫外光电探测器，其特征在于，所述p型掺杂GaN层

18  ‑3

（33）的掺杂浓度为1×10 cm 。

6.根据权利要求1所述的基于SAW的紫外光电探测器，其特征在于，所述p型掺杂GaN层（33）为GaN异质结构，所述Al0.5Ga0.5N层（32）为Al0.5GaN0.5异质结构，所述各Al0.25Ga0.75N层均为Al0.25Ga0.75N异质结构。

7.根据权利要求1所述的基于SAW的紫外光电探测器，其特征在于，所述第二Al0.25Ga0.75N层（2）与第一Al0.25Ga0.75N层（1）的长度均大于4 μm，厚度均大于4 μm。

8.根据权利要求1所述的基于SAW的紫外光电探测器，其特征在于，所述第一叉指换能器（11）和第二叉指换能器（21）的金属化率均为50%，周期均为 2 μm，各周期包含2根交叉电极指条。