1.Micro LED巨量转移装置，包括承载有Micro LED颗粒的原始载台和承载有目标基板的目标载台，及设于所述原始载台和所述目标载台侧边的动力部件；其特征在于所述原始载台为巨量载台，设有Micro LED的晶圆片或是已经排列好Micro LED的储存盘；还包括设于所述原始载台上方的微米级视觉传感器，与所述微米级视觉传感器连接的转移控制电路，与所述转移控制电路连接的ASIC驱动器，与所述ASIC驱动器连接的LED阵列板，及设于所述LED阵列板前侧的透镜阵列；所述动力部件的活动端设有黏取板，所述黏取板设有紫外光可逆胶层；所述微米级视觉传感器摄取所述原始载台中Micro LED颗粒的分布位置，并转换成图像信号传送至所述转移控制电路；再经所述转移控制电路的处理，转换成控制信号输出至所述ASIC驱动器；所述ASIC驱动器驱动所述LED阵列板，以显示相同图像信号，并通过透镜阵列，对所述紫外光可逆胶层进行照射，只让有Micro LED颗粒分布的位置具有黏力，其他的位置不具有黏力；然后所述动力部件带动所述黏取板至所述原始载台，直接黏取对应位置的Micro LED颗粒，再移送到目标基板的指定位置，被所述目标基板表面设有的异方性导电胶膜黏住，且Micro LED颗粒与异方性导电胶膜之间的黏力大于Micro LED颗粒与所述紫外光可逆胶层之间的黏力，所述动力部件向上移动，实现所述紫外光可逆胶层与Micro LED颗粒的分离，Micro LED颗粒被转移至所述目标基板。

2.根据权利要求1所述的Micro LED巨量转移装置，其特征在于所述动力部件的活动端与所述黏取板之间设有黏力传感器，于所述黏取板与Micro LED颗粒分离时，检测出所述黏取板的表面黏力，当检测值低于设定值时，对所述黏取板表面的紫外光可逆胶层进行更换。

3.Micro LED巨量转移方法，其特征在于采用权利要求1所述的Micro LED巨量转移装置，包括黏力下降步骤和更换紫外光可逆胶层步骤：

所述黏力下降步骤，是针对第二次巨量转移时，上一次巨量转移的Micro LED颗粒分布位置未被本次巨量转移的分布装置包含的区域，被280‑400nm的紫外光照射，黏力下降；

所述更换紫外光可逆胶层步骤，是在所述动力部件的活动端与所述黏取板之间设有黏力传感器，于所述黏取板与Micro LED颗粒分离时，检测出所述黏取板的表面黏力，当检测值低于设定值时，对所述黏取板表面的紫外光可逆胶层进行更换。

4.Micro LED修复装置，包括承载有Micro LED颗粒的原始载台和承载有目标基板的目标载台，及设于所述原始载台和所述目标载台侧边的动力部件；其特征在于所述原始载台为良品载台，设有Micro LED良品颗粒；所述目标载台为修复载台，用于Micro LED颗粒的修复；所述目标基板为待修复基板；还包括设于所述原始载台上方的微米级视觉传感器，与所述微米级视觉传感器连接的修复转移控制电路，与所述修复转移控制电路连接的ASIC驱动器，与所述ASIC驱动器连接的LED阵列板，及设于所述LED阵列板前侧的透镜阵列；所述动力部件的活动端设有黏取板，所述黏取板设有紫外光可逆胶层；所述微米级视觉传感器摄取所述修复载台中Micro LED坏点颗粒的分布位置，并转换成图像信号传送至所述修复转移控制电路；再经所述修复转移控制电路的处理，转换成控制信号输出至所述ASIC驱动器；所述ASIC驱动器驱动所述LED阵列板，以显示二个相同的图像信号，并通过透镜阵列，对所述紫外光可逆胶层进行照射，只让有Micro LED坏点颗粒分布的位置具有黏力，其他的位置不具有黏力；其中一个图像信号产生的黏力分布区域用于黏取Micro LED坏点颗粒，另一个图像信号产生的黏力分布区域用于黏取Micro LED良品颗粒；然后所述动力部件带动所述黏取板至所述修复载台，直接黏取对应位置的Micro LED坏点颗粒，再转移至所述良品载台上方，黏取Micro LED良品颗粒，以送到修复载台的Micro LED坏点颗粒位置，被Micro LED坏点颗粒位置表面设有的纳米导电银浆黏住，且Micro LED良品颗粒与纳米导电银浆之间的黏力大于Micro LED良品颗粒与所述紫外光可逆胶层之间的黏力，所述动力部件向上移动，实现所述紫外光可逆胶层与Micro LED良品颗粒的分离，Micro LED良品颗粒被转移至所述待修复基板；所述修复载台还设有用于点亮所述待修复基板的点亮治具。

5.根据权利要求4所述的Micro LED修复装置，其特征在于所述修复转移控制电路对用于黏取Micro LED坏点颗粒的黏力分布区域，进行累计，其密集度达到黏取板的紫外光可逆胶层的设定值时，发出更换紫外光可逆胶层的信号。

6.Micro LED修复方法，其特征在于采用权利要求4或5所述的修复装置；包括黏力下降步骤、移除步骤和照射位置挪动步骤：

所述黏力下降步骤，是针对第二次修复转移时，上一次修复转移的Micro LED颗粒分布位置未被本次修复转移的分布装置包含的区域，被280‑400nm的紫外光照射，黏力下降；

所述移除步骤，是设有的微米级修复用视觉传感器针对Micro LED坏点颗粒的位置进行拍摄，获得坏点图像信号，再根据所述坏点图像信号，再利用所述LED阵列板生成的紫外光对紫外光可逆胶层进行相对应的照射，相对应的位置获得黏力，从而将紫外光可逆胶层贴近待修复基板，将Micro LED坏点颗粒黏住并移除；

所述照射位置挪动步骤，是第二次拾取Micro LED良品颗粒时，所述紫外光可逆胶层被照射的位置不同于上一次拾取Micro LED良品颗粒时的位置。

7.Micro LED巨量转移、检测及修复设备，其特征在于包括底座联接在一起的巨量转移装置、检测装置和修复装置；所述巨量转移装置为权利要求1或2所述的Micro LED巨量转移装置；所述修复装置为权利要求4或5所述的Micro LED修复装置。

8.根据权利要求7所述的Micro LED巨量转移、检测及修复设备，其特征在于所述检测装置包括设于机座上的检测工位，设于检测工位侧边且对设于目标基板上的Micro LED颗粒进行点亮的点亮治具，及设于所述检测工位上方的微米级检测用视觉传感器；还包括联接所述巨量转移装置与所述检测装置之间的检测滑轨，所述目标基板从所述巨量转移装置滑动至所述检测工位后，经检测合格时，由设有的检测动力部件取走；经检测有Micro LED坏点颗粒时，设有的检测动力部件将目标基板搬运至修复载台，成为待修复基板。

9.根据权利要求8所述的Micro LED巨量转移、检测及修复设备，其特征在于所述修复载台还设有位于待修复基板下方的超低温探针，压触于Micro LED坏点颗粒的位置，以对异方性导电胶膜进行黏力消除；所述超低温探针的直径为20‑30μm；还设有微米级修复用视觉传感器，以针对Micro LED坏点颗粒的位置进行拍摄，获得坏点图像信号，再根据所述坏点图像信号，再利用所述LED阵列板生成的紫外光对紫外光可逆胶层进行相对应的照射，相对应的位置获得黏力，从而利用紫外光可逆胶层贴近待修复基板，将Micro LED坏点颗粒黏住并移除；所述修复装置还设有位于待修复基板上方的导电银桨棒，所述导电银桨棒的末端沾有纳米导电银浆，所述导电银桨棒对Micro LED坏点颗粒的位置进行纳米导电银浆的涂抹；所述超低温是低于‑70℃以下的温度。

10.根据权利要求9所述的Micro LED巨量转移、检测及修复设备，其特征在于，所述修复装置设有的修复动力部件根据坏点图像信号利用所述黏取板从所述原始载台黏取相应的Micro LED良品颗粒，植入至所述修复载台的待修复基板的Micro LED坏点颗粒位置；所述修复载台设有用于承载所述待修复基板的网状层，所述超低温探针穿过所述网状层，压触于Micro LED坏点颗粒的下方，解除Micro LED坏点颗粒与待修复基板之间的黏力；还包括水平面驱动部件，用于驱动所述网状层，以避开所述网状层的实体部分对所述超低温探针的阻挡。