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专利号: 2022100311274
申请人: 西安邮电大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2025-11-27
缴费截止日期: 暂无
联系人

摘要:

权利要求书:

1.一种带有孔洞金属薄膜的圆二色性结构,其特征在于,包括衬底、金属薄膜层、介质层、金属结构层,所述金属薄膜层置于所述衬底上,所述介质层置于所述金属薄膜层上,所述金属结构层置于所述介质层上,所述金属薄膜层和所述介质层中设有周期排布的方形孔洞,所述孔洞贯穿所述金属薄膜层和所述介质层,所述金属结构层包括与孔洞相同周期排布的L形结构,所述L形结构包括第一金属棒和第二金属棒,所述第一金属棒与所述孔洞的一边平行,所述第二金属棒与所述孔洞的临边平行,所述第一金属棒和所述第二金属棒的长度不相等;其中,所述周期为方形周期,所述孔洞位于所述L形结构的内侧。

2.如权利要求1所述的带有孔洞金属薄膜的圆二色性结构,其特征在于:所述介质层的厚度小于60纳米。

3.如权利要求1所述的带有孔洞金属薄膜的圆二色性结构,其特征在于:所述第一金属棒和所述第二金属棒的宽度相等。

4.如权利要求1‑3任一项所述的带有孔洞金属薄膜的圆二色性结构,其特征在于:所述金属薄膜层的材料为金或银。

5.如权利要求4所述的带有孔洞金属薄膜的圆二色性结构,其特征在于:所述介质层的材料为二氧化硅。

6.如权利要求5所述的带有孔洞金属薄膜的圆二色性结构,其特征在于:所述金属结构层的材料为金或银。

7.如权利要求6所述的带有孔洞金属薄膜的圆二色性结构,其特征在于:所述衬底的材料为二氧化硅。

8.如权利要求7所述的带有孔洞金属薄膜的圆二色性结构,其特征在于:所述衬底的材料为硅。