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专利号: 2018103673980
申请人: 陕西师范大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2025-10-14
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种强吸收圆二色性的单层三折孔纳米薄膜,其特征在于:该单层三折孔纳米薄膜由多个相同的纳米单元(1)上下、左右组合构成,且呈单层手性结构;

所述纳米单元(1)的横截面为正方形,所述纳米单元(1)上开设有三折孔(2);

所述三折孔(2)具有手性特征,且所述三折孔(2)的长度方向与正方形的边长平行;

所述纳米单元(1)沿Px、Py方向的边长均为620nm,Px为纳米单元的长,Py为纳米单元的宽,所述纳米单元(1)的高度t为60nm~100nm;

所述三折孔(2)由一矩形孔(25)、第一三角形孔(21)、第二三角形孔(22)、第三三角形孔(23)和第四三角形孔(24)组成;

所述第一三角形孔(21)与第二三角形孔(22)大小相同,所述第三三角形孔(23)与第四三角形孔(24)大小相同;

所述第三三角形孔(23)和第四三角形孔(24)的底边分别与矩形孔(25)的两个宽边相切,且所述第三三角形孔(23)和第四三角形孔(24)的底边与矩形孔(25)的宽边相等;

所述第一三角形孔(21)和第二三角形孔(22)的底边分别与矩形孔(25)的两个长边相切,且第一三角形孔(21)与第三三角形孔(23)相邻,第二三角形孔(22)与第四三角形孔(24)相邻;

所述矩形孔(25)的长边方向与Px方向之间的夹角α为0°~180°,所述矩形孔(25)的长度l为520nm,宽度w为200nm;

所述第一三角形孔(21)和第二三角形孔(22)的底边d1、d2均为150nm,孔高h1、h2均为

100nm;

所述第三三角形孔(23)和第四三角形孔(24)的底边d3、d4均为200nm,孔高h3和h4均为

75nm。

2.一种权利要求1所述单层三折孔纳米薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一、甩胶后烘:用甩胶机在基底上甩电子束负胶SU-8后,放置在热板上烘烤;

步骤二、曝光:对步骤一烘烤后的基底,用图形发生器设计如权利要求1所述单层三折孔纳米薄膜图形,并用电子显微镜曝光图形,得到曝光后的基底;

步骤三、显定影后烘:室温条件下,将步骤二曝光后的基底先放入显影液中浸泡显影,再放入定影液中浸泡,最后放置在热板上烘烤;

步骤四、真空镀膜:将步骤三烘烤后的基底放入电子束真空蒸发镀膜机中,先抽真空,再依次蒸镀钛和金,最后冷却10min~20min后取出;

步骤五、溶胶后吹干:先将步骤四镀膜后的基底置于去胶液中,直至电子束负胶SU-8完全溶解,最后进行吹干,得到单层三折孔纳米薄膜。

3.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤一之前还包括基底清洗步骤;

所述基底清洗步骤为:将基底放入洗涤液中清洗,再依次用去离子水、丙酮、酒精、去离子水超声清洗,最后吹干。

4.如权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述基底为ITO玻璃,所述ITO玻璃的透射率大于83%。

5.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤一中甩电子束负胶SU-8的厚度为200nm。

6.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤四中蒸镀钛的厚度为10nm,蒸镀金的厚度为80nm。