1.一种金属掺杂的二硼化锆薄膜的制备方法，其特征在于，采用如下方法制备得到：以金属靶和ZrB2复合靶作为靶材，通过磁控溅射方法在硅基底上沉积金属元素掺杂的ZrB2薄膜；所述金属元素为比Zr和B更容易被氧化的金属；

具体方法为：所述金属靶为Al靶，所述金属元素为Al，利用磁控溅射设备在Si（100）基底上沉积Al掺杂的ZrB2薄膜，Al靶和ZrB2复合靶的纯度均为99.95%，Al靶采用射频溅射，‑4ZrB2靶采用直流溅射；本底真空度为4.0×10  Pa，Ar气流量为80 ml/min，Al靶溅射功率为

50 W，ZrB2靶溅射功率为80 W，基底偏压为150 V，工作气压为0.6 Pa，溅射时间为60 min；

所得Al掺杂的ZrB2薄膜厚度为120‑500 nm；所得Al掺杂的ZrB2薄膜中Al的原子百分数为6.71，氧的原子百分数为5.59，Zr/B原子比为1.98；所得Al掺杂的ZrB2薄膜方块电阻介于

8.286‑4.31 Ω/□。

2.根据权利要求1所述的金属掺杂的二硼化锆薄膜的制备方法，其特征在于：磁控溅射前，对硅基底进行清洗预处理：将硅基底依次置于丙酮和乙醇中进行超声清洗，然后在HF溶液中浸泡去除硅基底表面的氧化层。

3.采用权利要求1‑2任一项所述的制备方法得到的金属掺杂的二硼化锆薄膜。