1.一种金属掺杂的二硼化锆薄膜的制备方法，其特征在于：以金属靶和ZrB2复合靶作为靶材，通过磁控溅射方法在硅基底上沉积金属元素掺杂的ZrB2薄膜；所述金属元素为比Zr和B更容易被氧化的金属。

2.根据权利要求1所述的金属掺杂的二硼化锆薄膜的制备方法，其特征在于：所述金属元素为Al或Ta。

3.根据权利要求2所述的金属掺杂的二硼化锆薄膜的制备方法，其特征在于：所述金属元素为Al，金属靶和ZrB2复合靶溅射功率的比值为(30～50)：80。

4.根据权利要求2所述的金属掺杂的二硼化锆薄膜的制备方法，其特征在于：所述金属元素为Ta，金属靶和ZrB2复合靶溅射功率的比值为(30～50)：100。

5.根据权利要求1所述的金属掺杂的二硼化锆薄膜的制备方法，其特征在于：金属靶材采用射频溅射，ZrB2复合靶采用直流溅射或射频溅射。

6.根据权利要求1所述的金属掺杂的二硼化锆薄膜的制备方法，其特征在于：所述硅基底为单面抛光的Si(100)基底。

7.根据权利要求1所述的金属掺杂的二硼化锆薄膜的制备方法，其特征在于：磁控溅射前，对硅基底进行清洗预处理：将硅基底依次置于丙酮和乙醇中进行超声清洗，然后在HF溶液中浸泡去除硅基底表面的氧化层。

8.根据权利要求1所述的金属掺杂的二硼化锆薄膜的制备方法，其特征在于：沉积时间为30～120min。

9.采用权利要求1‑8任一项所述的制备方法得到的金属掺杂的二硼化锆薄膜。