1.一种高频低损耗非晶软磁复合膜材料，其特征在于，所述材料以非晶粉末为原料，经预处理后，再通过流延工艺制备生坯，然后通过将生坯叠层并热压制备而成；所述材料在

1MHz～200MHz频率下损耗角低于0.08。

2.根据权利要求1所述的高频低损耗非晶软磁复合膜材料，其特征在于，其制备方法包括：

(1)将非晶软磁粉末在350～660℃保护气氛中退火0.5～4小时；

(2)将步骤(1)得到的粉体进行研磨，或者之后再对所得粉体进行绝缘包覆处理；

(3)将步骤(2)处理后的非晶粉加入树脂、偶联剂及助剂，再通过球磨或者砂磨形式搅拌均匀形成均一浆料；

(4)将步骤(3)处理后的浆料进行流延成膜，然后对流延膜进行干燥，制得非晶软磁膜生坯，然后将制得的非晶软磁膜生坯多层叠层，用平板热压机对其进行热压得到高频低损耗非晶软磁复合膜材料。

3.根据权利要求2所述的高频低损耗非晶软磁复合膜材料，其特征在于，所述非晶软磁粉末的粒径为0.1～10微米，优选2～7微米，或者所述非晶软磁粉末是将粒径2～7微米的非晶粉与粒径100‑800纳米的亚微米非晶粉按照质量比为100:10～100:0混合，其中0表示不含亚微米非晶粉；所述非晶软磁粉末的成分以Fe为主，还包括Si、B、P、Cr、C元素中的两种或两种以上，其中Fe含量不低于90wt％。

4.根据权利要求2所述的高频低损耗非晶软磁复合膜材料，其特征在于，绝缘包覆层为磷化层包覆、NaSiO3包覆、SiO2包覆和硅烷包覆的一种或者多种复合包覆。

5.根据权利要求2所述的高频低损耗非晶软磁复合膜材料，其特征在于，所述的偶联剂是钛酸酯偶联剂或硅烷偶联剂。

6.根据权利要求2所述的高频低损耗非晶软磁复合膜材料，其特征在于，步骤(1)所述的保护气氛是氩气、氦气、氢气、氮气或其中一种或多种混合气，退火温度优选350～550℃。

7.根据权利要求2所述的高频低损耗非晶软磁复合膜材料，其特征在于，所述助剂为增稠剂、流平剂及固化剂，所述树脂为环氧树脂，所述固化剂为潜伏型固化剂。

8.根据权利要求2所述的高频低损耗非晶软磁复合膜材料，其特征在于，所述热压温度为80～200℃，压强为10～1000MPa。

9.根据权利要求1‑8任一项所述的高频低损耗非晶软磁复合膜材料，其特征在于，所述材料应用于MHz及以上的高频软磁器件中。