1.一种低剖面低入射角度敏感性的吸波表面，其特征在于：包括介质基板(1)、印制在介质基板(1)正面的二维平面周期阵列(2)、印制在介质基板(1)反面的金属地板(3)，整体结构从上至下依次为二维平面周期阵列(2)、介质基板(1)、金属地板(3)。

2.根据权利要求1所述的低剖面低入射角度敏感性的吸波表面，其特征在于：所述二维平面周期阵列(2)由有耗频率选择单元沿x轴和y轴两个方向周期排布而成。

3.根据权利要求2所述的低剖面低入射角度敏感性的吸波表面，其特征在于：所述二维平面周期阵列(2)的有耗频率选择单元是由一个边缘交指化的电阻性方环贴片和一个金属方贴片组成的嵌套结构，且金属方贴片嵌在电阻性方环贴片左下方的区域。

4.根据权利要求3所述的低剖面低入射角度敏感性的吸波表面，其特征在于：所述二维平面周期阵列(2)的有耗频率选择单元中的电阻性方环贴片每条边的边缘均设有周期性凸起，即交指，相邻两凸起之间形成凹槽，相邻电阻性方环贴片的凸起均互相插入彼此的凹槽中，且凸起与凹槽之间设有缝隙，即交指缝隙。

5.根据权利要求4所述的低剖面低入射角度敏感性的吸波表面，其特征在于：所述二维平面周期阵列(2)的有耗频率选择单元的边缘交指化电阻性方环贴片为有限电导率的均匀电阻性材料制成。

6.根据权利要求5所述的低剖面低入射角度敏感性的吸波表面，其特征在于：所述二维平面周期阵列(2)的有耗频率选择单元的金属方贴片为金属材料制成。

7.根据权利要求6所述的低剖面低入射角度敏感性的吸波表面，其特征在于：所述二维平面周期阵列(2)的有耗频率选择单元的排布周期沿x和y方向均为8.25mm。

8.根据权利要求7所述的低剖面低入射角度敏感性的吸波表面，其特征在于：所述二维平面周期阵列(2)的有耗频率选择单元的边缘交指化电阻性方环贴片的边长为6.4mm，每条边的交指(20)数目为8，宽度为0.2mm，长度为1.6mm，交指缝隙为0.2mm；所述电阻性方环贴片的方阻阻值为8Ω/sq；所述二维平面周期阵列(2)的有耗频率选择单元的金属方贴片(21)边长为6mm，金属厚度为0.035mm。

9.根据权利要求1所述的低剖面低入射角度敏感性的吸波表面，其特征在于：所述介质基板(1)为FR4材料，厚度为1.5mm。