1.基于电阻膜的超宽带低剖面超材料吸波体，其特征在于，包括多个由周期结构单元沿平面方向延拓形成的阵列，周期结构单元由设置在底部的金属层和三层电阻膜—介质复合层堆叠构成，金属层（4）和三层电阻膜—介质复合层紧密相连，无缝隙；三层电阻膜—介质复合层均包括上下堆叠设置的PET衬底（2）以及PMI泡沫层（3），在PET衬底（2）上印制有一定结构的电阻膜表面结构层（1）；

其中：

电阻膜表面结构层（1）的ITO电阻膜结构高度对称性，不仅关于x轴和y轴轴对称而且满足中心对称；ITO电阻膜表面结构由中心子结构和四象限区域子结构镶嵌构成，中心子结构是位于周期结构单元中心的大方环形ITO电阻膜片，大方环形ITO电阻膜片的外围边长为d1=12mm、内围边长为d2=8mm，大方环位于周期单元结构中心；四象限区域子结构是位于周期结构单元四个象限中心的四个小方环形ITO电阻膜片，四个小方环形ITO电阻膜片的外围边长为d3=8mm、内围边长为d4=4mm，四个小方环分别位于周期结构单元的四个象限中心；相邻的两个小方环形ITO电阻膜片之间的间隔距离g1=2mm，四个小方环ITO电阻膜片的边界与PET衬底（2）边界之间的间隔距离分别为g2和g3，g2=1mm，g3=1mm。

2.根据权利要求1所述的基于电阻膜的超宽带低剖面超材料吸波体，其特征在于，所述每层电阻膜—介质复合层中PET衬底（2）的厚度均为0.175mm，介电常数为3.0，损耗角正切为0.061。

3.根据权利要求1所述的基于电阻膜的超宽带低剖面超材料吸波体，其特征在于，三层电阻膜—介质复合层中的PMI泡沫层（3）的厚度不同，由下至上的厚度分别为6.45mm、3.4mm和3.9mm，不同的厚度用于实现吸波体对特定频率范围内电磁波的吸收效果，通过优化各PMI泡沫层（3）厚度，扩展吸波体的吸收带宽；所述每层电阻膜—介质复合层中PMI泡沫层（3）的介电常数为1.05，损耗角正切为0.001。

4.根据权利要求1所述的基于电阻膜的超宽带低剖面超材料吸波体，其特征在于，三层电阻膜—介质复合层中每层电阻膜表面结构层（1）表面的ITO电阻膜结构均相同，但是阻值不同，由下至上的电阻膜表面结构层（1）阻值分别为：R1=50Ω/sq、R2=150Ω/sq、R3=300Ω/sq。

5. 根据权利要求1所述的基于电阻膜的超宽带低剖面超材料吸波体，其特征在于，金

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属层（4）的材料为金属铜，电导率为σ＝5.8×10 S/m，金属层（4）的厚度为0.02mm。

6.根据权利要求1所述的基于电阻膜的超宽带低剖面超材料吸波体，其特征在于，电阻膜表面结构层（1）的ITO电阻膜结构制备方法为：首先在PET衬底（2）中心位置溅射生成一个大方环形结构的ITO电阻膜，大方环结构的外围边长为d1=12mm、内围边长为d2=8mm；然后利用四个象限平分PET衬底（2），并在四个象限中心位置分别溅射生成四个小方环形结构的ITO电阻膜，小方环形ITO电阻膜外围边长为d3=8mm、内围边长为d4=4mm，相邻的两个小方环形ITO电阻膜之间的间隔距离为g1=2mm，四个小方环ITO电阻膜的外边界与PET衬底边界之间的间隔距离均为g2和g3，g2=1mm， g3=

1mm，大方环形与四个小方环形结构组成的电阻膜表面结构层（1）的表面结构。