1.一种低剖面波束切换智能天线，包括一个激励单元(1)和六个寄生单元(2)，其特征是：一个所述的激励单元(1)和六个寄生单元(2)均印刷在直径为150mm，厚度为3mm的同一块介质基板的板面上，所述的激励单元(1)为由印刷在介质基板上层板面的上层天线单元和印刷在介质基板下层板面的下层天线单元耦合构成的圆极化全向天线；所述的上层天线单元和下层天线单元的整体是由呈六边形结构的中心馈源(11)以及周向间隔60°环绕中心馈源(11)构成阵列天线的六个激励天线(12)和连接相应激励天线(12)与中心馈源(11)的微带传输线(13)组成；六个所述的寄生单元(2)周向间隔60°围绕在激励单元(1)的四周，每一所述的寄生单元(2)均由偶极子天线(3)和焊接在该偶极子天线(3)两臂中间的PIN二极管(4)组成，所述的偶极子天线(3)的两臂呈120°夹角摆放；低剖面波束切换智能天线通过改变不同寄生单元(2)中的PIN二极管(4)导通或者断开的工作状态来改变放置在中心的激励单元(1)的水平极化方向，使激励单元(1)的带宽、增益和辐射方向发生变化，由原来的全向辐射转成定向辐射，实现天线系统的智能化；上层天线单元是正 L 形结构，下层天线单元是反 L形结构，并且上层天线单元和下层天线单元的正 L 形结构和反 L形结构构成的两臂呈 120°夹角摆放，与外层的寄生单元(2)的偶极子天线(3)平行，所述的中心馈源(11)的中心加工有金属过孔；所述的寄生单元(2)印刷在介质基板的上层板面上。

2.根据权利要求1所述的一种低剖面波束切换智能天线，其特征是：所述的介质基板为RogersRO4003C介质基板。

3.根据权利要求2所述的一种低剖面波束切换智能天线，其特征是：所述的PIN二极管(4)在导通时等效为接2Ω的电阻，PIN二极管(4)在断开时等效为接0.2pF的电容。

4.根据权利要求3所述的一种低剖面波束切换智能天线，其特征是：所述的PIN二极管(4)为SMP1345‑079LF型号的二极管。

5.根据权利要求4所述的一种低剖面波束切换智能天线，其特征是：六个所述的寄生单元(2)按逆时针排列依次包括第一寄生单元(21)、第二寄生单元(22)、第三寄生单元(23)、第四寄生单元(24)、第五寄生单元(25)和第六寄生单元(26)；相应地所述的PIN二极管(4)依次包括焊接在第一寄生单元(21)上的第一PIN二极管(41)、焊接在第二寄生单元(22)上的第二PIN二极管(42)、焊接在第三寄生单元(23)上的第三PIN二极管(43)、焊接在第四寄生单元(24)上的第四PIN二极管(44)、焊接在第五寄生单元(25)上的第五PIN二极管(45)和焊接在第六寄生单元(26)上的第六PIN二极管(46)。

6.根据权利要求5所述的一种低剖面波束切换智能天线，其特征是：所述的PIN二极管(4)具有六种导通或者断开的工作状态，六种所述的导通或者断开的工作状态分别为：第一PIN二极管(41)断开，第二PIN二极管(42)、第三PIN二极管(43)和第四PIN二极管(44)、第五PIN二极管(45)和第六PIN二极管(46)均为导通时的第一工作状态；第二PIN二极管(42)断开，第一PIN二极管(41)、第三PIN二极管(43)、第四PIN二极管(44)、第五PIN二极管(45)和第六PIN二极管(46)均为导通时的第二工作状态；第三PIN二极管(43)断开，第一PIN二极管(41)、第二PIN二极管(42)和第四PIN二极管(44)、第五PIN二极管(45)和第六PIN二极管(46)均为导通时的第三工作状态；第四PIN二极管(44)断开，第一PIN二极管(41)、第二PIN二极管(42)、第三PIN二极管(43)、第五PIN二极管(45)和第六PIN二极管(46)均为导通时的第四工作状态；第五PIN二极管(45)断开，第一PIN二极管(41)、第二PIN二极管(42)、第三PIN二极管(43)、第四PIN二极管(44)和第六PIN二极管(46)均为导通时的第五工作状态；第六PIN二极管(46)断开，第一PIN二极管(41)、第二PIN二极管(42)、第三PIN二极管(43)、第四PIN二极管(44)和第五PIN二极管(45)均为导通时的第四工作状态。