1.一种集成电路芯片封装用无铅锡球，其特征在于，所述无铅锡球包括内心(1)，所述内心(1)外部熔接有防氧化层(2)，所述防氧化层(2)外部熔接有减负层(3)，所述减负层(3)内部熔接有支撑点(4)，所述支撑点(4)外部熔接有防腐蚀层(5)，所述防腐蚀层(5)外部熔接有荧光层(6)。

2.根据权利要求1所述的一种集成电路芯片封装用无铅锡球，其特征在于，所述防氧化层(2)由铝合金材料制成。

3.根据权利要求1所述的一种集成电路芯片封装用无铅锡球，其特征在于，所述减负层(3)由钛合金材料制成。

4.根据权利要求1所述的一种集成电路芯片封装用无铅锡球，其特征在于，所述支撑点(4)由二氧化硅材料制成。

5.根据权利要求1所述的一种集成电路芯片封装用无铅锡球，其特征在于，所述防腐蚀层(5)由聚氨基甲酸酯制成。

6.根据权利要求1所述的一种集成电路芯片封装用无铅锡球，其特征在于，所述荧光层(6)由银单质制成。