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专利号: 2021114532757
申请人: 陕西科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2026-05-14
缴费截止日期: 暂无
联系人

摘要:

权利要求书:

1.一种Si5C3微纳米材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)将硅源和碳源进行研磨混合,得到混合物;

2)在所述混合物中加入氯化钠和铝粉,加入无水乙醇后研磨,真空干燥后得到前驱体;

在步骤2)中,氯化钠与铝粉的质量比为1:(0.2~1),氯化钠与硅源的质量比为2:1;

3)将前驱体在500~700℃下进行煅烧,煅烧1~2小时,之后进行酸洗、水洗、真空干燥后得到Si5C3微纳米材料;

硅源为工业级氧化硅粉,碳源为腐植酸。

2.根据权利要求1所述的Si5C3微纳米材料的制备方法,其特征在于,在步骤1)中,硅源与碳源的质量比为1:(0.5~1)。

3.根据权利要求1所述的Si5C3微纳米材料的制备方法,其特征在于,在步骤1)中,研磨时间为10~20分钟。

4.根据权利要求1所述的Si5C3微纳米材料的制备方法,其特征在于,在步骤2)中,研磨时间为0.5~1小时。

5.根据权利要求1所述的Si5C3微纳米材料的制备方法,其特征在于,步骤3)中,煅烧气氛为氩气或氮气。

6.权利要求1~5任一项所述方法制备得到的Si5C3微纳米材料,其特征在于,晶体结构为立方状Si5C3,产品形貌为Si5C3纳米粒子组装成的微米片。