1.一种AlGaN/GaN量子阱近红外‑紫外双色探测光电阴极，其特征在于，其结构沿生长方向依次为衬底(101)、缓冲层(102)、P型下帽层(103)、P型势阱层(104)、多量子阱层、P型上帽层(107)和P型发射层(108)，缓冲层(102)外延生长在衬底(101)上，P型下帽层(103)生长在缓冲层(102)上，P型势阱层(104)生长在P型下帽层(103)上，多量子阱层生长在P型势阱层(104)上，P型上帽层(107)生长在多量子阱层上，P型发射层(108)生长在P型上帽层(107)上；所述多量子阱层包含多个周期设置的I型势阱层(106)和I型势垒层(105)，每一周期由一层I型势垒层(105)和一层I型势阱层(106)组成；

P型下帽层(103)为高浓度的P型AlxGa1‑xN材料，其中0.1≤x≤0.5，掺杂浓度为1×

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10 cm ；P型势阱层(104)为高浓度P型GaN材料，掺杂浓度为5×10 cm ；P型上帽层(107)为

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高浓度的P型AlcGa1‑cN材料，其中0.1≤c≤0.5，掺杂浓度为1×10 cm ；P型发射层(108)为

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高浓度的P型GaN材料，掺杂浓度为1×10 cm 。

2.根据权利要求1所述的一种AlGaN/GaN量子阱近红外‑紫外双色探测光电阴极，其特征在于所述衬底(101)为蓝宝石；缓冲层(102)为外延AlN材料；多量子阱层由I型势阱层(106)和I型势垒层(105)组成，其中I型AlyGa1‑yN作为势垒层，I型AlzGa1‑zN作为势阱层，0.5≤y≤0.8，0.1≤z≤0.3，一个I型势阱层(106)和一个I型势垒层(105)组成多量子阱层的一个周期，整个多量子阱层共由10‑30周期组成。

3.根据权利要求2所述的一种AlGaN/GaN量子阱近红外‑紫外双色探测光电阴极，其特征在于所述AlN缓冲层厚度为2～3μm；P型下帽层AlxGa1‑xN的Al组分变化为0.1≤x≤0.5，厚度为200～400nm；P型势阱层GaN厚度为2～5nm；多量子阱层中I型势垒层AlyGa1‑yN厚度为2～10nm，Al组分变化为0.5≤y≤0.8，I型势阱层AlzGa1‑zN厚度为2～10nm，Al组分变化为0.1≤z≤0.3；多量子阱层周期数为10～30；P型上帽层AlcGa1‑cN的Al组分变化为0.1≤c≤0.5，

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厚度为30～150nm；P型GaN发射层厚度为2～5nm，掺杂浓度为1×10 cm 。

4.根据权利要求3所述的一种AlGaN/GaN量子阱近红外‑紫外双色探测光电阴极，其特征在于所述缓冲层AlN厚度为2.5μm；P型下帽层AlxGa1‑xN厚度为300nm，x＝0.25，掺杂浓度1

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×10 cm ；P型势阱层GaN厚度为3*，掺杂浓度5×10 cm ；多量子阱层中I型势垒层AlyGa1‑yN厚度为2nm，y＝0.5；I型势阱层AlzGa1‑zN厚度为2nm，z＝0.25；P型上帽层AlcGa1‑cN厚度为

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100nm，c＝0.25，掺杂浓度1×10 cm ；P型发射层GaN厚度为3nm，掺杂浓度为1×10 cm 。

5.一种AlGaN/GaN量子阱近红外‑紫外双色探测光电阴极制备工艺，其特征在于包括如下步骤：利用MOCVD工艺在蓝宝石衬底上依次外延生长AlN缓冲层、镁掺杂P型AlGaN下帽层、镁掺杂P型GaN势阱层、由变组分AlGaN组成的多量子阱层、镁掺杂P型上帽层、镁掺杂P型发射层，多量子阱层的单量子阱层包括变组分I型AlGaN势垒层和变组分I型AlGaN势阱层。

6.一种AlGaN/GaN量子阱近红外‑紫外双色探测光电阴极制备工艺，其特征在于包括如下步骤：

1)取衬底蓝宝石，对衬底表面进行清洗，去除衬底表面的杂质和污迹；

2)在蓝宝石衬底上利用MOCVD工艺生长AlN缓冲层：

将衬底温度降低至1200℃，保持生长压力40Torr，氢气流量为150slm，氨气流量为

2000sccm，向反应室通入流量为200ummol/min的铝源，生长厚度为2.5μm的AlN缓冲层；

3)在AlN缓冲层上生长P型下帽层Al0.25Ga0.75N：

将生长温度调至1100℃，保持生长压力为40Torr，氢气流量为150slm，氨气流量为

2000sccm，向反应室同时通入流量为130ummol/min的铝源、500ummol/min的镓源生长厚度为300nm的P型下帽层Al0.25Ga0.75N；

4)在P型下帽层Al0.25Ga0.75N上生长P型势阱层GaN：

将生长温度降至950℃，保持生长压力为40Torr，氢气流量为90slm，氨气流量为

30000sccm，向反应室通入流量为40ummol/min的镓源生长厚度为3nm的P型势阱层GaN；

5)在P型势阱层GaN上生长多量子阱层Al0.5Ga0.5N/Al0.25Ga0.75N：将生长温度降至1100℃，保持生长压力为40Torr，氨气流量为2000sccm，先向反应室通入45ummol/min的铝源、170ummol/min的镓源，生长厚度为2nm的Al0.5Ga0.5N势垒层，再通入

140ummol/min的铝源、100ummol/min的镓源，生长厚度为2nm的Al0.25Ga0.75N势阱层；通过重复上述5)的生长过程，生长周期为20的多量子阱层Al0.5Ga0.5N/Al0.25Ga0.75N；

6)在多量子阱成上生长P型上帽层Al0.25Ga0.75N：

将生长温度升至1100℃，保持生长压力为40Torr，氢气流量为150slm，氨气流量为

2000sccm，向反应室同时通入流量为130ummol/min的铝源、500ummol/min的镓源生长厚度为100nm的P型上帽层Al0.25Ga0.75N；

7)在P型上帽层Al0.25Ga0.75N上生长P型发射层GaN：

将生长温度降至950℃，保持生长压力为40Torr，氢气流量为90slm，氨气流量为

30000sccm，向反应室通入流量为40ummol/min的镓源生长厚度为3nm的P型发射层GaN。