1.一种槽栅双极型晶体管，其元胞结构包括从下至上依次层叠设置金属化集电极(11)、P+集电极区(10)、N+缓存层(9)和N-漂移区(1)；所述N-漂移区(1)上层外围具有闭合的沟槽栅结构，在N-漂移区(1)上层两侧还分别具有呈对称分布的P型基区(2)、N+发射区(6)和P+接触区(7)，其中P型基区(2)和N+发射区(6)与沟槽栅接触，P型基区(2)位于N+发射区(6)和P+接触区(7)下方，N+发射区(6)和P+接触区(7)并列设置；在N+发射区(6)和P+接触区(7)上表面还具有金属化发射极(8)；在N-漂移区(1)上层中部还具有沟槽栅结构，使每个元胞上层形成2个由沟槽栅闭合的区域；其特征在于，所述P型基区(2)的结深小于沟槽栅的结深，沿器件横向方向，P型基区(2)的宽度小于N+发射区(6)和P+接触区(7)的宽度；器件元胞的布局规则为：以器件的俯视平面建立平面直角坐标系，沿水平方向，每个元胞并列排列，沿垂直方向，相邻元胞之间以水平方向偏离半个元胞长度为基准，呈交错分布。