1.一种V3S4@V2C复合材料的制备方法，包括具有MXene结构的V2C以及原位生成在该V2C表面的粒状V3S4；所述V3S4具有三维NiAs晶体结构，所述V2C为二维材料，且V3S4原位生成在V2C上使两者构建成二维和三维异质晶体结构；所述V3S4@V2C复合材料为片状结构，其厚度为纳米级别；采用以下方法进行制备：将具有MXene结构的V2C与硫代乙酰胺在同一反应环境中进行气相硫化处理，即得；其中所述具有MXene结构的V2C与硫代乙酰胺的质量比为1:5~10；所述的气相硫化处理的方法为：在流动的保护气制造的隔氧环境下，将所述硫代乙酰胺置于保护气的上游，将所述V2C置于保护气的下游，然后进行加热保温处理，即得；

所述加热保温的温度为600 700℃，保温时间为1 3小时；所述保护气包括惰性气体、氮~ ~气或氢氩混合气中任一种。

2.根据权利要求1所述的V3S4@V2C复合材料的制备方法，其特征在于，所述具有MXene结构的V2C的制备方法包括如下步骤：（1）提供含有氟化钠、盐酸的水溶液，加入V2AlC，混匀得到前驱体溶液；

（2）将所述前驱体溶液进行水热反应，分离出反应液中的固体产物，对其清洗后干燥，即得具有MXene结构的V2C。

3.根据权利要求2所述的V3S4@V2C复合材料的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述V2AlC、氟化钠的质量比为0.4~0.9:1。

4.根据权利要求2所述的V3S4@V2C复合材料的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述水溶液以去离子水作为溶剂。

5.根据权利要求2所述的V3S4@V2C复合材料的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述盐酸浓度不小于5mol/L。

6.根据权利要求2所述的V3S4@V2C复合材料的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，将氟化钠、盐酸溶解于水中，并静置不小于1小时后再加入所述V2AlC，然后搅拌不小于1小时后，进入下一步骤。

7.根据权利要求2所述的V3S4@V2C复合材料的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，所述水热反应的温度为105 130℃，反应时间为40 55小时。

~ ~

8.根据权利要求2所述的V3S4@V2C复合材料的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，所述干燥温度为50 80℃，干燥时间为10 24小时。

~ ~

9.根据权利要求2所述的V3S4@V2C复合材料的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，将所述固体产物清洗至中性。

10.权利要求1‑9任一项所述的方法制备的V3S4@V2C复合材料在储能器件中的应用。

11.根据权利要求10所述的应用，其特征在于，将所述V3S4@V2C复合材料用做锂硫电池正极材料。