1.一种GaN半导体材料作为电子传输层的钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

(1)将致密的氧化镍薄膜从氧化镍靶材上采用磁控溅射法溅射到ITO导电玻璃上；

(2)在步骤(1)的NiO基底上采用浸泡旋涂法旋涂CH3NH3Br或CH3NH3I钙钛矿前驱体溶液，沉积结束后迅速转移至预热的加热台上使钙钛矿结晶制得CH3NH3Br、CH3NH3I钙钛矿光发射层；

(3)将GaN悬浊液以1500‑3500r/min的速度旋涂到钙钛矿层上，旋涂时间是20‑40s，静置一段时间使无水乙醇挥发，完成电子传输层的制备；

(4)通过电极蒸镀仪将金电极蒸镀到所述步骤(3)制备的电子传输层上，金电极厚度为

80nm，获得GaN半导体材料作为电子传输层的钙钛矿发光二极管。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中要提前在N,N‑二甲基亚酰胺(DMF，Sigma‑Aldrich，99.8％)和二甲基亚砜(DMSO，Sigma‑Aldrich，99.8％)混合溶液中制备CH3NH3PbBr3和CH3NH3PbI3溶液。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中旋涂速度是2000‑

5000r/min，旋涂时间是40‑80s，在第30‑50s时滴加反溶剂氯苯。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中加热台温度为80‑120℃，保温时间40‑80min。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中GaN电子传输层包括：GaN纳米多晶颗粒，GaN纳米单晶颗粒，二维GaN单晶片，多孔二维GaN单晶片。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中所述多孔GaN悬浊液的制备方法，步骤为：将GaN材料溶解于无水乙醇中，然后超声处理，使其分散成GaN悬浊液。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中旋涂速度是2000r/min，旋涂时间是25s。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中电极是金，电极厚度为

50‑100nm。

9.如权利要求1‑8任一项所述制备方法获得的GaN半导体材料作为电子传输层的钙钛矿发光二极管。