1.一种以二氧化钛纳米管阵列为电子传输层的钙钛矿电池制备方法，其特征在于，包括如下步骤，步骤1，取0.5-1.5％wt的氢氟酸水溶液作为电镀溶液，以清洗后的钛片基底作为阳极，以阳极氧化的方法在钛片基底上制备二氧化钛纳米管阵列，得到前驱体；其电镀电压为

20v，电镀时间为1～120min；二氧化钛纳米管的长度由电镀溶液浓度、电镀电压和电镀时间进行控制，能够得到长度为100～500nm的二氧化钛纳米管；钛片基底分别用丙酮、乙醇和去离子水超声振荡清洗；

步骤2，将前驱体进行退火处理，使无定形的二氧化钛转变为锐钛矿相的二氧化钛；退火处理时，升温速率为1～5度每分钟，退火温度为400～500℃，退火保温时间为2～4h，然后冷却到室温，紫外清洗，得到以钛片为基底的二氧化钛纳米管阵列；

步骤3，在以钛片为基底的二氧化钛纳米管阵列上依次制得钙钛矿吸光层、空穴传输层和ITO电极层得到以二氧化钛纳米管阵列为电子传输层的钙钛矿电池；

采用旋涂的方法将钙钛矿溶液滴在以钛片为基底的二氧化钛纳米管阵列上，得到含致密钙钛矿层的基片，旋涂速率为3000～5000转每分钟；

将含致密钙钛矿层的基片在80～120℃的温度下加热5～10min得到钙钛矿结晶；

在钙钛矿吸光层上旋涂上Spiro-OMeTAD溶液，干燥6～12h后使Spiro-OMeTAD氧化得到空穴传输层，旋涂速率为3000转每分钟；

在空穴传输层上通过磁供溅射仪制备透明电极，蒸发源为ITO，传送速率为0.1～

0.2cm/min，传送距离为10～20cm。

2.一种以二氧化钛纳米管阵列为电子传输层的钙钛矿电池，其特征在于，由权利要求1所述的制备方法制得。