1.一种Bi2O3/(BiO)2CO3异质结半导体光催化剂，其特征在于，包括：由纳米片层状的(BiO)2CO3和棒状β‑Bi2O3组成的异质结结构，且该异质结上设有氧缺陷结构。

2.一种Bi2O3/(BiO)2CO3异质结半导体光催化剂的制备方法，其特征在于，所述制备方法用于制备权利要求1中所述的由纳米片层状的(BiO)2CO3和棒状β‑Bi2O3组成的异质结结构，包括以下步骤：

S1.将硝酸溶于蒸馏水中，形成稀释的硝酸液体；

S2.向硝酸液体中加入Bi聚合物得到混合物A；

S3.加入表面活性剂并搅拌均匀后得到混合物B；

S4.在水浴条件下，向混合物B中加入有机酸，并搅拌均匀得到混合物C；

S5.将混合物C经洗涤干燥后，进行空气煅烧得到带氧空位的Bi2O3/(BiO)2CO3异质结。

3.如权利要求2所述的一种Bi2O3/(BiO)2CO3异质结半导体光催化剂的制备方法，其特征在于，所述Bi聚合物为含Bi的前驱体，具体为：柠檬酸铋、柠檬酸铋铵、五水硝酸铋中的一种或多种组合。

4.如权利要求2所述的一种Bi2O3/(BiO)2CO3异质结半导体光催化剂的制备方法，其特征在于，所述表面活性剂包括：十六烷基三甲基溴化铵、硬脂酸、十二烷基苯磺酸钠中的一种或多种的混合。

5.如权利要求2所述的一种Bi2O3/(BiO)2CO3异质结半导体光催化剂的制备方法，其特征在于，所述有机酸包括：乙酸、草酸中的一种或多种的混合。

6.如权利要求2所述的一种Bi2O3/(BiO)2CO3异质结半导体光催化剂的制备方法，其特征在于，所述硝酸液体的物质量浓度为1mol/L；其中硝酸液体、Bi聚合物、表面活性剂与有机酸的质量比为(15‑25)：(1‑2)：(0.1‑0.5)：(0.1‑1)。

7.如权利要求2所述的一种Bi2O3/(BiO)2CO3异质结半导体光催化剂的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中，其水浴温度为20‑100℃，反应时间为10‑100min。

8.如权利要求7所述的一种Bi2O3/(BiO)2CO3异质结半导体光催化剂的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中，其水浴温度为60℃，反应时间为30min。

9.如权利要求2‑8任意一项所述的一种Bi2O3/(BiO)2CO3异质结半导体光催化剂的制备方法，其特征在于，所述步骤S5中，其煅烧温度为200‑350℃，升温速率为0＜T＜10℃/min，保温时间为1‑10h。

10.如权利要求9所述的Bi2O3/(BiO)2CO3异质结半导体光催化剂的制备方法，其特征在于，所述步骤S5中，其煅烧温度为270℃，升温速率为6℃/min，保温时间为5h。