1.一种拓扑磁结构，其特征在于，包括：衬底层；

缓冲层，设置于所述衬底层上，所述缓冲层的表面粗糙度小于所述衬底层的表面粗糙度；

磁性层，设置于所述缓冲层上，包括至少一层亚铁磁性层，所述磁性层用于在预设条件下产生磁性斯格明子；

保护层，设置于所述磁性层上，用于保护所述磁性层。

2.根据权利要求1所述的拓扑磁结构，其特征在于，所述亚铁磁性层包括层叠设置的铂、钴和钆。

3.一种磁性斯格明子的写入方法，其特征在于，应用于如权利要求1或2所述的拓扑磁结构，所述写入方法包括：

对所述保护层表面进行预设时长的激光照射，以使所述磁性层产生所述磁性斯格明子。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述预设时长为100飞秒。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述激光波长在700～800nm范围内。

6.根据权利要求3所述的方法中，其特征在于，所述激光的频率为1kHz。

7.一种存储器，其特征在于，包括：多个如权利要求1‑2任一项所述的拓扑磁结构，其中，所述衬底层为铁电衬底；

激光发射单元，用于对所述保护层表面进行预设时长的激光照射，以使所述磁性层产生所述磁性斯格明子；

驱动单元，与所述衬底层连接，用于驱动所述磁性斯格明子在所述拓扑磁结构中运动，以实现信息的存储。

8.一种读写系统，其特征在于，包括：如权利要求7中所述的存储器；及读取装置，用于读取所述存储器里存储的信息。

9.一种赛道存储器，其特征在于，包括：纳米带，包括预设长度的如权利要求1所述的拓扑磁结构，其中，所述衬底层材料为硅，所述纳米带沿长度方向依次分为信息写入区、信息存储区和信息读取区；

激光发射单元，位于所述信息写入区，用于对所述保护层表面进行预设时长的激光照射，以使所述磁性层产生所述磁性斯格明子；

电流驱动单元，正极位于所述信息读取区，负极位于所述信息写入区，用于驱动所述磁性斯格明子在所述拓扑磁结构中运动，以实现信息的存储。

10.根据权利要求9所述的赛道存储器，其特征在于，所述信息读取区设有磁性隧道结，用于读取所述磁性斯格明子。