1.一种双氧水辅助阴极电沉积金属有机框架薄膜的制备方法，其特征是：具体包括以下步骤：S1、制备阴极电沉积溶液，将100‑5000毫摩尔每升的金属盐、100‑5000毫摩尔每升的有机配体分子和0.1‑5000毫摩尔每升的双氧水溶解于溶剂中，制得阴极电沉积溶液；

S2、采用对导电基底施加还原电位的方式，对导电基底施加‑3V至+2V vs.SHE的还原电位，进行阴极电沉积0.1‑24小时，制得金属有机框架薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种双氧水辅助阴极电沉积金属有机框架薄膜的制备方法，其特征是：步骤S1中所述的金属盐包括以铜、镁、锆、银、铬、铝、锌、铁、钴、镍、锰、铋为金属元素的硝酸盐、硫酸盐、氯酸盐、高氯酸盐、磷酸盐、磺酸盐中的任意一项。

3.根据权利要求1所述的一种双氧水辅助阴极电沉积金属有机框架薄膜的制备方法，其特征是：步骤S1中所述的有机配体分子为1,3,5均苯三甲酸、对苯二甲酸、2‑甲基咪唑或

1,3,5均苯三甲酸、对苯二甲酸和2‑甲基咪唑的衍生物中的任意一项。

4.根据权利要求1所述的一种双氧水辅助阴极电沉积金属有机框架薄膜的制备方法，其特征是：步骤S1中所述溶剂为二甲基甲酰胺、苯、己烷、环己烷、二氯甲烷甲醇、乙醇、异丙醇、乙醚、丙酮、二甲基亚砜、水以及其混合液中的任意一项。

5.根据权利要求1所述的一种双氧水辅助阴极电沉积金属有机框架薄膜的制备方法，其特征是：步骤S2中所述的导电基底为氧化铟锡玻璃、掺氟的氧化锡玻璃、碳纸、泡沫金属、石墨类电极、金属板或有导电涂层的多孔膜中的任意一项。

6.根据权利要求1所述的一种双氧水辅助阴极电沉积金属有机框架薄膜的制备方法，其特征是：步骤S2中所述的对导电基底施加还原电位的方式为恒电压法、恒电流法、循环伏安法或脉冲电压法中的任意一项。

7.根据权利要求1至6任意一项所述的一种双氧水辅助阴极电沉积金属有机框架薄膜的制备方法的应用，其特征是：用于制备金属有机框架的材料。