1.一种基于可调谐振腔的量子点单光子源，其特征在于，包括：

可调谐振腔，用于对所述量子点单光子源的结构进行调整进而提高单光子的提取效率，包括上反射层、下反射层及分别紧贴所述上反射层和所述下反射层并允许光通过的厚度可调的弹性层组成，紧贴所述上反射层的弹性层和紧贴所述下反射层的弹性层之间形成用于容纳所述量子点层的腔体；

量子点层，设于所述可调谐振腔的所述腔体中并在其表面或中间设有量子点用于产生单光子源；

谐振腔调整装置，利用电压采用直接方式或间接方式对所述可调谐振腔中的一个或两个所述弹性层的厚度进行调整，用于调整所述可调谐振腔的腔长以提高单光子的提取效率。

2.根据权利要求1所述的一种基于可调谐振腔的量子点单光子源，其特征在于：所述量子点层设于所述腔体中并与两侧的所述弹性层紧密贴合。

3.根据权利要求2所述的一种基于可调谐振腔的量子点单光子源，其特征在于：所述上反射层和下反射层为DBR反射层，所述DBR反射层为由两种不同掺杂度的掺铝砷化镓材料交替生长制得。

4.根据权利要求3所述的一种基于可调谐振腔的量子点单光子源，其特征在于：所述DBR反射层由Al0.9Ga0.1As材料和Al0.1Ga0.9As材料交替生长制得。

5.根据权利要求1或3所述的一种基于可调谐振腔的量子点单光子源，其特征在于：所述下反射层的反射率高于所述上反射层。

6.根据权利要求2所述的一种基于可调谐振腔的量子点单光子源，其特征在于：所述弹性层为由弹性透明高聚物制成。

7.根据权利要求6所述的一种基于可调谐振腔的量子点单光子源，其特征在于，所述谐振腔调整装置包括：压电器件及压电控制器，所述压电器件包括压电材料，所述压电控制器控制所述压电器件进行伸缩，所述压电器件与所述可调谐振腔的所述上反射层和所述下反射层相连接；所述压电控制器将电压直接作用于所述压电器件并实现对所述弹性层的厚度进行调整。

8.根据权利要求2所述的一种基于可调谐振腔的量子点单光子源，其特征在于：所述弹性层为透明的压电材料层，所述谐振腔调整装置与所述压电材料层相连，所述压电材料层在所述谐振腔调整装置控制下使谐振腔进行伸缩直接调整所述可调谐振腔的腔长。

9.根据权利要求8所述的一种基于可调谐振腔的量子点单光子源，其特征在于：所述谐振腔调整装置为压电控制器，所述压电控制器将电压直接作用与至少一个所述弹性层上，用于对所述弹性层的厚度进行调整。

10.根据权利要求1所述的一种基于可调谐振腔的量子点单光子源，其特征在于：所述量子点单光子源还包括：

衬底，用于生长所述量子点单光子源中所述可调谐振腔与所述量子点层，缓冲层，设于所述衬底与所述可调谐振腔之间用于使所述可调谐振腔更好的生长于所述衬底上。