1.一种平面集成的微波毫米波共口径边射天线，其特征在于，包括：

毫米波贴片天线阵列，由四个高频辐射金属贴片(11)按方形阵列排布设置在第一基板(2)上形成；

微波天线阵列，由四个低频辐射金属贴片(12)按方形阵列排布设置在所述第一基板(2)上形成，所述低频辐射金属贴片(12)围城了方形区间，所述高频辐射金属贴片(11)位于所述方形区间内；

SIW功分结构，包括第一金属通孔结构(21)、第二金属通孔结构(41)、第三金属通孔结构(61)、第一金属层(3)以及第二金属层(5)，所述第一金属通孔结构(21)为设于所述第一基板(2)上的金属化通孔结构，所述第二金属通孔结构(41)为设于第二基板(4)上的金属化通孔结构，所述第三金属通孔结构(61)为设于第三基板(6)上的金属化通孔结构，所述第二基板(4)位于所述第一基板(2)远离所述低频辐射金属贴片(12)的一面，所述第一金属层(3)设置在所述第一基板(2)与所述第二基板(4)之间，所述第三基板(6)位于所述第二基板(4)远离所述第一基板(2)的一面，所述第二金属层(5)设置在所述第二基板(4)与所述第三基板(6)之间，所述第三基板(6)上设有第一馈电孔(62)，所述第一馈电孔(62)与同轴的内导体连接；

金属地(8)，设置在第四基板(7)上，所述第四基板(7)设置所述第三基板(6)远离所述第二基板(4)的一面，所述金属地(8)位于所述第三基板(6)与所述第四基板(7)之间，所述第四基板(7)上设有第二馈电孔(81)，所述第二馈电孔(81)与同轴的外导体连接；以及低频馈电微带线(9)，设置在所述第四基板(7)远离所述第三基板(6)的一面；

所述第一金属层(3)以及所述第二金属层(5)为方形，所述第一金属层(3)上设有两组长缝；所述第二金属层(5)上设有一组长缝，三组长缝在水平面的投影互不重叠且轴线相互平行；

所述金属地(8)上设有两个工字缝(82)，两个所述工字缝(82)分别位于所述第二馈电孔(81)的两侧。

2.根据权利要求1所述的平面集成的微波毫米波共口径边射天线，其特征在于，所述第一基板(2)、所述第二基板(4)以及所述第三基板(6)的介电常数为2.55，损耗角为0.0019；

所述第四基板(7)的介电常数3.55，损耗角为0.0027。

3.根据权利要求1所述的平面集成的微波毫米波共口径边射天线，其特征在于，所述高频辐射金属贴片(11)为方形，每个所述高频辐射金属贴片(11)上设有两个相对设置的T型缝(111)。

4.根据权利要求1所述的平面集成的微波毫米波共口径边射天线，其特征在于，所述低频辐射金属贴片(12)具有直倒角。

5.根据权利要求1所述的平面集成的微波毫米波共口径边射天线，其特征在于，所述第一金属通孔结构(21)、所述第二金属通孔结构(41)以及所述第三金属通孔结构(61)由若干个设置在所述第一基板(2)、所述第二基板(4)以及所述第三基板(6)上的金属通孔排列成，所述第一金属通孔结构(21)为方形，且所述第一金属通孔的方形框内设有相对设置的T字通孔结构，所述第二金属通孔结构为方形，且所述第二金属通孔的方形框内设有与方形框的其中一边平行的两一字型通孔；所述第三金属通孔为T型通孔结构，所述第一馈电孔(62)位于所述T型通孔结构内。