1.氧化亚硅的气化沉积装置，包括真空室(1)、第—材料托盘(2)、第二材料托盘(3)、析出基体(4)、反应管(5)、加热源(6)、轴(7)，反应管(5)位于真空室(1)内，加热源(6)位于真空室(1)内，轴(7)的至少一部分位于反应管(5)内，第—材料托盘(2)、第二材料托盘(3)以及析出基体(4)分别安装在轴(7)上，其特征在于，所述第—材料托盘(2)、第二材料托盘(3)分别呈弓形，第—材料托盘(2)和第二材料托盘(3)错位安装。

2.根据权利要求1所述氧化亚硅的气化沉积装置，其特征在于，还包括旋转驱动机构，旋转驱动机构与轴(7)连接。

3.根据权利要求2所述氧化亚硅的气化沉积装置，其特征在于，旋转驱动机构包括电机(8)以及减速器，电机(8)与减速器连接，减速器还与轴(7)连接。

4.根据权利要求1至3任意一项所述氧化亚硅的气化沉积装置，其特征在于，第—材料托盘(2)和第二材料托盘(3)错开180°。

5.根据权利要求1至3任意一项所述氧化亚硅的气化沉积装置，其特征在于，所述弓形为优弧弓或半圆弓。