1.一种气相沉积装置，包括炉体、设置于炉体内的加热腔室、设置于炉体外的沉积腔室，加热腔室用于加热原料反应生成气相产物，沉积腔室与加热腔室连通，沉积腔室用于沉积产物，其特征在于，气相沉积装置还包括：进料机构，进料机构的出料口与加热腔室的入口连接，进料机构用于向加热腔室内加入原料；

刮取机构，设置于沉积腔室内，刮取机构用于刮取沉积腔室内的沉积产物；

收集腔室，设置于炉体外，收集腔室的入口与沉积腔室的出口连接，收集腔室用于收集刮取机构刮取下来的沉积产物，收集腔室包括设置于收集腔室入口处的第一阀门，第一阀门用于控制沉积腔室与收集腔室之间通道的开闭。

2.根据权利要求1所述的气相沉积装置，其特征在于，沉积腔室包括设置于沉积腔室出口处的第二阀门，第二阀门用于控制沉积腔室与收集腔室之间通道的开闭，收集腔室与沉积腔室可拆卸连接，当收集腔室与沉积腔室连接，打开第一阀门、第二阀门，收集腔室收集刮取机构刮取下来的沉积产物；关闭第一阀门、第二阀门，将收集腔室从沉积腔室上拆卸下来。

3.根据权利要求1所述的气相沉积装置，其特征在于，还包括设置于炉体外的残渣腔室，残渣腔室的入口与加热腔室的出口连接，残渣腔室包括设置于残渣腔室的入口处的第三阀门，第三阀门用于控制加热腔室与残渣腔室之间通道的开闭，残渣腔室用于收集加热腔室内原料反应后的残渣。

4.根据权利要求3所述的气相沉积装置，其特征在于，加热腔室包括设置于加热腔室的出口处的第四阀门，第四阀门用于控制加热腔室与残渣腔室之间通道的开闭，残渣腔室与加热腔室可拆卸连接，当残渣腔室与加热腔室连接，打开第三阀门、第四阀门，残渣腔室收集残渣；关闭第三阀门、第四阀门，将残渣腔室从加热腔室上拆卸下来；和/或，残渣腔室还包括：设置于残渣腔室出口的用于盖合的残渣腔室底盖。

5.根据权利要求3所述的气相沉积装置，其特征在于，加热腔室包括设置于加热腔室的出口处的配重阀，配重阀用于承受到达预设的重量后自行打开，残渣腔室与加热腔室可拆卸连接，当残渣腔室与加热腔室连接，打开第三阀门，配重阀承受到达预设的重量后自行打开，残渣腔室收集残渣；关闭第三阀门，配重阀未承受到达预设的重量处于关闭状态，将残渣腔室从加热腔室上拆卸下来。

6.根据权利要求3所述的气相沉积装置，其特征在于，在加热腔室内，加热腔室的入口与加热腔室的出口之间设置有开放式滑道，用于将原料输送到加热腔室内，还用于将原料反应后的残渣输送到加热腔室的出口。

7.根据权利要求6所述的气相沉积装置，其特征在于，加热腔室的入口设置于加热腔室上方，加热腔室的出口设置于加热腔室下方，所述滑道从上到下呈现螺旋式排布。

8.根据权利要求1所述的气相沉积装置，其特征在于，原料进料机构包括料仓和螺旋输送器，料仓与螺旋输送器连接，料仓用于对其内的原料抽真空，料仓内的原料通过螺旋输送器进入到加热腔室内。

9.根据权利要求1所述的气相沉积装置，其特征在于，沉积腔室内设置有可转动的转筒，转筒内设置有夹套用于通入冷源对转筒进行冷却。

10.根据权利要求9所述的气相沉积装置，其特征在于，转筒中部为中通的通孔，通孔的一端开口位于沉积腔室内，通孔的另外一端依次连接过滤机构、抽真空机构，过滤机构用于过滤，抽真空机构用于抽真空。

11.根据权利要求9所述的气相沉积装置，其特征在于，刮取机构包括刮片，刮片与转筒的外壁接触并相对运动刮取沉积产物，和/或，刮片与沉积腔室的内壁接触并相对运动刮取沉积产物。

12.根据权利要求11所述的气相沉积装置，其特征在于，刮片为环形刮环，刮环的内环与转筒的外壁接触，刮环的外环与沉积腔室的内壁接触。

13.根据权利要求11所述的气相沉积装置，其特征在于，刮片包括第一刮片和第二刮片，沉积腔室设有凹槽用于容纳第一刮片，第二刮片与转筒连接，第二刮片且与沉积腔室的内壁接触；

气相沉积装置还包括：距离检测单元、第一驱动机构、控制器，距离检测单元，用于检测第二刮片与第一刮片的距离，并发送给控制器；第一驱动机构，用于驱动第一刮片运动；控制器，用于接收距离检测单元检测到的距离，当该距离小于预设的距离时，则控制器控制第一驱动机构驱动第一刮片进入凹槽内，当距离不小于预设的距离时，则控制器控制第一驱动机构驱动第一刮片离开凹槽，第一刮片与转筒外壁接触。

14.根据权利要求11所述的气相沉积装置，其特征在于，刮取机构还包括第二驱动机构，用于驱动刮片运动，或者，刮片为平移运动，刮片的运动方向分别与转筒的外壁、沉积腔室的内壁表面平行；

或者，刮片为转动运动，刮片的转动方向与转筒的转动方向相反或相同。

15.一种氧化亚硅的制备方法，其特征在于，使用权利要求1～14任意一项所述的气相沉积装置生产氧化亚硅。