1.一种IGBT模块，其特征在于，包括封装结构和电路板，以及规格大小相同的第一IGBT单元、第二IGBT单元、第三IGBT单元、第四IGBT单元、第五IGBT单元和第六IGBT单元；所述电路板与所述封装结构连接，且包括通过键合铝线连接的第一子电路板、第二子电路板和第三子电路板；所述第一IGBT单元和所述第二IGBT单元设置在所述第一子电路板上，所述第三IGBT单元和所述第四IGBT单元设置在所述第二子电路板上，所述第五IGBT单元和所述第六IGBT单元设置在所述第三子电路板上，并且在所述IGBT模块的长度方向上依次排布。

2.根据权利要求1所述的IGBT模块，其特征在于，所述第一子电路板和所述第二子电路板之间通过在所述IGBT模块的宽度方向上两排键合铝线连接，所述第二子电路板和所述第三子电路板之间通过在所述IGBT模块的宽度方向上两排键合铝线连接。

3.根据权利要求1所述的IGBT模块，其特征在于，所述第一IGBT单元、所述第二IGBT单元、所述第三IGBT单元、所述第四IGBT单元、所述第五IGBT单元和所述第六IGBT单元中各IGBT单元均包括IGBT器件和快恢复二极管；所述IGBT器件和所述快恢复二极管在所述IGBT模块的宽度方向上依次排布，且所述长度方向和所述宽度方向垂直。

4.根据权利要求3所述的IGBT模块，其特征在于，所述第一IGBT单元、所述第二IGBT单元、所述第三IGBT单元、所述第四IGBT单元、所述第五IGBT单元和所述第六IGBT单元中各IGBT单元均通过超声键合方式与其他IGBT单元和电路板之间连接。

5.根据权利要求4所述的IGBT模块，其特征在于，所述超声键合方式的功率比为35％～

45％；其中功率比是指键合时设置的功率与键合机最大可调功率的比值。

6.根据权利要求1所述的IGBT模块，其特征在于，所述IGBT模块的额定电流为200A，额定电压为1200V。

7.根据权利要求1所述的IGBT模块，其特征在于，所述IGBT模块还包括热敏电阻，用于感测所述IGBT模块内部的温度。