1.一种非易失多值忆阻器，其特征在于，包括：衬底、以及依次形成于所述衬底上的金属底电极、功能层和金属顶电极，其中，所述金属底电极临近所述功能层的一侧表面还设置有若干金属纳米颗粒，所述若干金属纳米颗粒具有至少两种不同的尺寸。

2.根据权利要求1所述的非易失多值忆阻器，其特征在于，所述金属纳米颗粒的材质为金。

3.根据权利要求1所述的非易失多值忆阻器，其特征在于，所述衬底选用表面形成有氧化硅层的硅片或CMOS芯片。

4.根据权利要求1所述的非易失多值忆阻器，其特征在于，所述金属底电极包括与所述衬底联接的粘附层以及位于远离所述衬底一侧的电极层。

5.根据权利要求4所述的非易失多值忆阻器，其特征在于，所述金属底电极电极层的熔点高于所述金属底电极粘附层的熔点，优选地，所述金属底电极粘附层材料为钛金属，所述金属底电极电极层的材料为钨金属。

6.根据权利要求4所述的非易失多值忆阻器，其特征在于，所述金属底电极粘附层厚度

2-5nm，所述金属底电极电极层的厚度30-100nm，所述功能层厚度10-50nm；和/或，所述金属顶电极厚度50-200nm。

7.根据权利要求1所述的非易失多值忆阻器，其特征在于，所述金属顶电极包括与所述功能层联接的粘附层以及远离所述功能层一侧的电极层。

8.根据权利要求7所述的非易失多值忆阻器，其特征在于，所述金属顶电极的粘附层的熔点低于所述金属顶电极电极层熔点，优选地，所述金属顶电极粘附层材料为钛氮，所述金属顶电极电极层的材料为钨、或铝、或金。

9.根据权利要求1所述的非易失多值忆阻器，其特征在于，所述功能层的材质为金属氧化物，优选地，所述金属氧化物为氧化铪、或氧化钽、或氧化钨。

10.根据权利要求1所述的非易失多值忆阻器，其特征在于，所述金属底电极和金属顶电极在所述衬底上的垂直投影彼此垂直；优选地，所述非易失多值忆阻器包括多个阵列排布的金属底电极与金属顶电极。