1.一种Si基垂直LED芯片，其特征在于，从下往上依次包括第一衬底层、n‑GaN层、多量子阱层、p‑GaN层、反射层、电流阻挡层、键合层、键合金属层和第二衬底层；其中，键合金属层为厚度比为0.15～0.2：1的Ni和Sn。

2.如权利要求1所述的Si基垂直LED芯片，其特征在于，在第二衬底层上键合的Ni的厚度为10nm～800nm。

3.如权利要求1所述的Si基垂直LED芯片，其特征在于，所述第二衬底层的背面还设有金属背板，金属背板上加镀有厚度范围为100nm～2000nm的Ni。

4.如权利要求3所述的Si基垂直LED芯片，其特征在于，所述金属背板为Si板。

5.如权利要求1所述的Si基垂直LED芯片，其特征在于，所述反射层为Cr、Ti、Ni、Ag、Pt和Au中的一种。