1.一种垂直结构LED芯片，从下至上依次包括衬底层(1)、粘结层(2)、键合层(3)、阻挡层(4)、N电极层(5)、绝缘反射层(6)、欧姆接触层(7)、外延片(8)和分布在外延片(8)外侧的P电极(9)，其特征在于，所述外延片(8)从下至上依次包括p-GaN层(801)、InGaN/GaN多量子阱层(802)和n-GaN层(803)，所述p-GaN层(801)、InGaN/GaN多量子阱层(802)和n-GaN层(803)设置有连通的隔离槽，所述N电极层(5)上表面设置有N电极(501)，所述N电极(501)通过隔离槽穿过绝缘反射层(6)、欧姆接触层(7)、p-GaN层(801)、InGaN/GaN多量子阱层(802)，并与n-GaN层(803)形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述键合层(3)的厚度为

1000nm～9000nm。

3.根据权利要求2所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述N电极层(5)的厚度为

100nm～2000nm。

4.根据权利要求3所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述绝缘反射层(6)包括SiO2、Si3N4和TiO2/Ti3O5。

5.根据权利要求4所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述绝缘反射层(6)的厚度为

0.5um～4um。

6.根据权利要求5所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述欧姆接触层(7)包括SnO2和InO2。

7.根据权利要求6所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述欧姆接触层(7)厚度为

30nm～300nm。